1.2 Mikrosxema topologiyasini loyihalashning asosiy qoidalari Topologiyani ishlab chiqishda asosiy talab-elementlar orasidagi ulanishlar kesishishining minimal soniga ega bo‘lgan elementlarning maksimal o‘rash zichligi. Bu barcha dizayn va texnologik talablar va cheklovlarga javob berib, kristalli maydondan maqbul foydalanishni ta'minlaydi. Topologiyani ishlab chiqish uchun dastlabki ma'lumotlar elektr sxemasi, texnologik va konstruktiv talablar va cheklovlardir.
Integral sxema topologiyasini ishlab chiqishda, p-n-birikma yarimo‘tkazgichli Integral sxemalarning topologiyasini loyihalashda quyidagi asosiy qoidalarga rioya qilinadi [1]:
1).Himoya oksidi bilan ishlov berish, fotolitografiya xatolari ostida g’alayon ta'sirini hisobga olish uchun topologiyali sxemani tuzishda, kontaktli yostiqlardan tashqari, barcha elektron elementlarni ruxsat etilgan masofada joylashtirish tavsiya etiladi. Epitaksial(kimyoviy oksidlanish) qatlamning qalinligidan ikki baravar ko‘p bo‘lishi kerak.
2).Har doim teskari yo‘naltirilgan kuchlanish izolyatsion p-n birikmalariga qo‘llanilishi kerak, bu amalda p-tipli substratni yoki p-tipli ajratish diffuziya mintaqasini kontaktlarning eng salbiy potentsialli nuqtasiga ulash orqali amalga oshiriladi. Bunday holda, izolyatsion p-n birikmasiga qo‘llaniladigan teskari kuchlanish buzilish kuchlanishidan oshmasligi kerak.
3).Mikrosxemalar elementini joylashtirishda va ular orasidagi bo‘shliqlarni tuzishda odatdagi texnologik jarayonga mos keladigan cheklovlarga qat'iy rioya qilish kerak.
4).Asosiy diffuzion qatlam asosida hosil bo‘lgan rezistorlar bitta izolyatsiya qilingan maydonda joylashishi mumkin, bu kontaktlarning zanglashiga eng ijobiy salohiyati bilan bog'liq, ya'ni kollektor quvvat manbaiga.
5).Emitter va kollektor qatlamlariga asoslangan rezistorlar alohida ajratilgan joylarda joylashishi kerak.
6).Rezistorlarning haqiqiy shakli r tekis, egilgan yoki boshqa har qanday shaklga ega bo‘lishi mumkin, lekin har holda rezistor uzunligining uning kengligiga nisbati asl diffuziya qatlamining qarshiligiga mos kelishi va berilgan qiymatning olinishini ta'minlashi kerak. Yuqori qarshilikli rezistorlar parallel chiziqlar bo‘lib, ular orasidagi o‘tish joylari bo‘lishi kerak. Bu holda qarshilikning nominal qarshiligi egilgan qarshilikka qaraganda aniqroq saqlanadi.
7).Mahalliy isitish joylarini kamaytirish uchun yuqori quvvatli rezistorlarni faol elementlar yoniga qo‘ymaslik kerak, lekin ularni kristalning chetiga ko‘chirish tavsiya etiladi.
8).Reytinglar nisbatini aniq saqlashi kerak bo‘lgan rezistorlar bir xil kenglik va konfiguratsiyaga ega bo‘lishi va bir -birining yonida joylashgan bo‘lishi kerak. Bu qoida mikrosxemalarning boshqa elementlariga ham taalluqlidir, ular uchun xarakteristikalarni muvofiqlashtirishni ta'minlash kerak, ya'ni. ularning topologiyalari bir xil bo‘lishi va nisbiy pozitsiyasi iloji boricha yaqin bo‘lishi kerak.
9).Har qanday diffuzion rezistorni o‘tkazuvchi yo‘l orqali kesib o‘tish mumkin, chunki metall o‘tkazgichni rezistorni qoplaydigan kremniy dioksid qatlamidan o‘tkazishda hech qanday zararli ta'sir yo‘q.
10).Kondensatorlarning shakli va joylashuvi muhim emas.
11).Diffuzion kondansatorlar alohida izolyatsiya qilingan maydonlarni talab qiladi.
12).N-p-n tipidagi tranzistor rezistorlar bilan bir xil izolyatsiya qilingan maydonga joylashtirilishi mumkin.
13).Turli xil potentsialga ega bo‘lgan barcha n-tipli kollektorli hududlarni ajratish kerak.
14.Mikrosxemalar elementlarining almashinuvi minimal kesishmalar soniga ega bo‘lishi kerak. Agar kesishmalardan butunlay qochishning iloji bo‘lmasa, ular kondansatkich plitalari yordamida, tranzistorlarning kollektor hududlariga qo‘shimcha kontaktlar hosil qilib, diffuzion o‘tish moslamalari yordamida va o‘tish o‘tkazgichlari o‘rtasida qo‘shimcha izolyatsion qatlamlar hosil qilib amalga oshirilishi mumkin. Topologik sxemani ishlab chiqishda, elektrodlararo ulanishlarning mumkin bo‘lgan minimal uzunligini olishga intilish kerak.
15). Parazitar sig'imlarning mavjudligi muhim bo‘lmasa, rezistorlar tranzistorlar bilan bir xil izolyatsiya qilingan joylarga joylashtirilishi mumkin. Ular bir-biriga bog'langan bo‘lishi muhim emas. Rezistorlar orasidagi masofa kamida 10 mkm bo‘lishi kerak. Tranzistor va rezistorning kollektori bir-biridan kamida 12 mikron masofada bo‘lishi kerak.
16).Topologiyani loyihalashda eng muhim qoida - bu mikrosxemaning izini kamaytirish. Bu ma'lum diametrli gofretda ishlab chiqarilgan mikrosxemalar sonini ko‘paytirish imkonini beradi. Qolaversa, yarim o‘tkazgichli kristallning tasodifiy nuqsonlari ehtimoli maydonning oshishi bilan ortib borishini hisobga olish kerak. Mikrosxemalarning o‘lchamlari izolyatsiya qilinadigan maydonlar va ularning maydonlari soniga, shuningdek, ulanish metallizatsiyasining umumiy maydoniga, shu jumladan aloqa joylari egallagan maydonga bog'liq.
