Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali

Асосий параметрлари ва турлари

Аксариат ҳолларда интеграл схема тайёрлашда кремний кристали ишлатилади.

Бутурдаги интеграл схема (ИС) актив (диодлар, транзисторлар) ва пассив (қаршиликлар, конденсаторлар, индуктивғалтаклар) компоненталардан ташкил топган бўлади.

Қатламли ИС – компоненталари тагликсиртигаҳар хил қатламларни ўтқазиш орқали тайёрланадиган микросхема ҳисобланади.

Диэлектрик тагликсифатида алюминий оксиди, шиша ва керамикалар қўлланилади.

Қатламли ИС асосан пассив элементлар - қаршиликлар, конденсаторлар ва индуктив ғалтакларни ташкил қилади.

Улардан асосан RC-фильтрлар тузилади.

Булардан ташқари янадурагайИС мавжудбўлиб, бу микросхема ҳам диэлектрик асосидаги пассив элементлар ва дискрет актив элементларнинг боғланишидан ташкил топади.

Одатдадискрет актив элементлар ИСларда актив элементлар деб юритилади.

Бу элементлар асосан ихчамлаштирилган қобиқсиз диод ва транзисторлардан ташкил топган бўлади.

Аралаш ИС – бу микросхеманинг актив эле ментларияримўтказгичматериалиасосидатайёрланиб, яримўтказгичлиИСгаўхшашбўлади, пассив элементлариэсақатламлимикросхемаларкаби (қаршилик, конденсатор, индуктивғалтак) тайёрланганбўлади.

Улар умумийтагликкаизоляцияланганҳолдажойлаштирилади.

Ҳозиргипайтдаяримўтказгич ИМС ларнингикки туримавжуд: биқутбий ИС ва металл-оксид-яримўтказгич (МДЯ) интеграл схемалар.

ИМСларнингбир-бириданфарқи, асосан, актив элементларнингишлашиваИСларнингтайёрлаштехнологиясигабоғлиқдир.

Иккиқутбли ИС асосини n-p-nёкиn-p-nтурдагииккиқутблитранзисторлар, МДЯ-турдагиИСларасосинимайдонийтранзисторларташкилэтади.

Интеграл схеманитайёрлашжараёнлариниасосантранзисторларнитайёрлаштехнологияситашкилқилади, қолганбарчаэлементларҳамқўшимчатехнологикжараёнсиз, транзисторнитайёрлашорқалиясалади.

1.2-расм. Интеграл транзисторлар

1.3-расм. Типик биқутбий интеграл транзистор геометрияси (а) вакўндалангкесими (б). 1-эмиттер; 2-база; 3-коллектор; 4-қатлам.

3.