Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti nukus

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT

AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS

FILIALI

TELEKOMUNIKATSIYA TEXNOLOGIYALARI VA KASBIY

TA’LIM FAKULTETI
Telekommunikatsiya texnologiyalari yo’nalishi

2-kurs talabasi Мaxsetov Atabekning

Elektronika va sxemalari 2 fanidan

3-LABORATORIYA ISHI

Mavzu : BT da yasalgan UB kuchaytirgich sxemasin tadqiq etish

Topshirgan: Maxsetov A.

Qabul qilgan: Umirzakov E.

2021
3 - лаборатория иши

БТда ясалган УБ кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш
Ишнинг мақсади: УБ уланиш схемасида биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш.
Керакли асбоблар:Манба,амперметир,волтметир,резистор,транзистор.
Резистор қаршиликлари : R₁= (270-510 )Oм ва R₂=(510-1000) Ом.

Кириш ва бошқариш характеристикалари

ЕЭ	В
uЭБ	В
IЭ	мкА
iK	мА