|
Молекуляр қурилмалар
Молекуляр електроника-бу қаттиқ ҳолатдаги молекулаларда турли хил
еффектлар ва физик ҳодисалардан фойдаланган ҳолда микроминиатурали
електрон ускуналарни яратиш учун физик, кимёвий, електрон ва технологик
муаммолар мажмуасини ҳал қиладиган електроника бўлими. Електрон
схемалар, худди integral микросхемалар сингари, Кристал ичида маҳаллий бир
хил бўлмаганликларни яратиш орқали ишлаб чиқарилади, бу еса електр ёки
магнит майдонлардан фойдаланган ҳолда оммавий зарядлар оқимини зарур
назорат қилишга имкон беради. Молекуляр қурилмаларда алоҳида
структуравий ҳудудларни radio занжир елементлари билан аниқлаш мумкин
емас; ушбу қурилмалар фақат бажарадиган функциялари билан бир бутун
сифатида баҳоланади.
1-расмда бир ярим даврли тўғрилагичнинг електр схематик диаграммаси ва
тўғрилагич вазифаларини бажарувчи електрон қурилма кўрсатилган. Қурилма
турли хил електрон даражаларга ега бўлган учта минтақадан (доменлардан)
иборат монолит кристалдир. Минтақалар бутун интерфейс бўйлаб туташган.
Биринчи минтақа 1 резистив бўлиб, у ўзгарувчан ток кучланиши билан
таъминланади, бу домен орқали оқиб, уни иситади. Биринчи доменда
чиқарилган иссиқлик АC палласида яхши иссиқлик ўтказгич ва изолятор
бўлган ўрта домен 2 орқали ўтади ва иссиқлик енергияси електр енергиясига
айланадиган термоелектрик домен 3 га киради. 3-доменнинг чиқишида (чиқиш
терминаллари ўртасида) 9 В доимий кучланиш қўлланилади.
1-расим.
бир ярим даврли тўғрилагич: a-електр юритма диаграммаси; b-тўғрилагич
вазифаларини бажарувчи електрон қурилма
Силиндрсимон доменларда маълумотларни сақлаш ва қайта ишлаш учун
тубдан янги қурилмаларни яратиш (юқори қувватли сақлаш мосламалари,
мантиқий ва коммутация қурилмалари) компютер технологиялари
ривожланишининг навбатдаги босқичидир. Ҳозирги вақтда частотани
барқарорлаштириш, електр сигналини маълум вақт давомида кечиктириш ва
юқори частотали тебранишларни кучайтиришга хизмат қиладиган
пиезоелектрик еффектга асосланган функционал қурилмалар ишлаб чиқилган
Янги синфнинг шаффоф магнит кристалларини жорий етиш турли мақсадлар
учун бошқарув мосламаларини яратишга имкон беради. Ушбу қурилмалар
електрон, електро-оптик, акустик ва бошқа қурилмаларнинг мавжуд
аналогларини сиқиб чиқаради. Шундай қилиб, битта қаттиқ монолитда
яратилган битта функция блоки дискрет, фаол ва пассив елементлардан
ташкил топган бутун схемани алмаштириб, мураккаб функцияларни
ўзгартириши мумкин.
Ҳимоя материаллари ва муҳрлаш усуллари
Хизмат муддатини ошириш, шунингдек ишончлилигини ошириш учун
микроелементлар, микромодуллар ва микросхемалар ҳимоя материаллари
билан қопланади ва муҳрланади. Ҳимоя материалларини танлаш уларнинг
физик, кимёвий ва технологик хусусиятларига, қўлланилиш доирасига ва енг
оқилона фойдаланиш усулларига боғлиқ.
Епокси ва силикон материаллар, органосиликон қатронлари ва бошқалар.
Ҳимоя материаллари сифатида ишлатилади. Муҳрлашнинг енг кенг тарқалган
усулларига қуйидагилар киради: емпрене муҳрлаш, бирикмалар билан
тўлдириш, ўраш, сиқиш ва танани ҳимоя қилиш.
Чиплар стандартлаштирилган, стандартлаштирилган металл ёки пластмасса
корпусларда мавжуд. Структуравий ва технологик хусусиятларига кўра чип
корпуслари металл-керамика, металл-shisha, металл-полимер, керамика ва
пластмассага бўлинади.
Микрочипларни йиғиш
Амалдаги материалларнинг комбинациясига ва терминалларнинг дизайнига
қараб, микросхемаларни йиғишда уланиш учун микро пайвандлаш
(термокомпрессия, ултратовуш, kontakt, електрон нурлари, lazer) ёки микро
леҳим ишлатилади.
Микрочиплар маҳсулотнинг електр занжирига пинлар ёрдамида уланади,
уларнинг жойлашуви корпус турига қараб белгиланади .2 шакл
-
ДИП-босилган електрон платанинг тешикларига ўрнатиш учун
микрочиплар, микроассемблиес ва бошқа баъзи електрон компонентлар
учун корпус тури. Узун томонларида икки қаторли Пим билан
тўртбурчаклар шаклга ега. У пластик (ПДИП) ёки керамика (CДИП) дан
тайёрланиши мумкин. Одатда, белги пиналар сонини ҳам кўрсатади.;
-
СОИC-сиртга
ўрнатилган
чип
корпуси
ДИП
корпусидаги
микросистемага қараганда босилган електрон платада 30-50% кам
майдонни егаллайди, шунингдек ДИП корпусига қараганда 50-70% кам
қалинликка ега. Одатда, белги СОИC пинлари сонини ҳам кўрсатади.;
-
Сип-босилган електрон платанинг тешикларига вертикал ўрнатиш учун
текис корпус, узун томонида бир қатор пиналар мавжуд. Иш бу чиплари
кўрсатиш игналар сонини билдиради;
-
ПЛCC-қирраларнинг жойлашган контактлар билан бир квадрат уй-жой,
махсус панелда ўрнатиш учун мўлжалланган (кўпинча бир”бешик”деб
аталади).;
-
ЦОП-ингичка, кичик ўлчамли иш. У flesh-хотира ва тасодифий кириш
хотираси (РАМ)чиплари учун ишлатилади;
-
ЗИП-бир zigzag нақш ажратиш пин терминаллари билан босилган
електрон тешик вертикал ўрнатиш учун текис уй-жой.
Шакл. 2 ИC корпусларининг асосий турлари: a – ДИП, B-СОИC, c-СИП, d-
ПЛCC, e-ЦОП, e-ЗИП
Do'stlaringiz bilan baham: |
