ModuL. Elektrvakum va yarim o’tkazgichli asboblarda kechadigan fizik jarayonlar

3.6. Kanali qurilgan MDYa – tranzistor
33 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va uning shartli belgisi (b) keltirilgan.

Agar U_ZI = 0 bo‘lganda U_SI kuchlanish o‘rnatilsa, u holda kanal orqali elektronlar hisobiga tok oqib o‘tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish berilsa, kanalda ko‘ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta’sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‘allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo‘lsa, bu tok shuncha kichik bo‘ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi.

Agar zatvorga musbat kuchlanish ta’sir ettirilsa, hosil bo‘lgan elektr maydoni ta’sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela boshlaydilar, kanalning o‘tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi.

Ko‘rib o‘tilgan jarayonlar 34 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor xarakteristikada: U_SI=const bo‘lgandagi I_S= f (U_ZI) bilan ifoda-langan.

0 bo‘lganda tranzistor boyish rejimida, 0 bo‘lganda esa kambag‘allashish rejimida ishlaydi.



a) b)

33 – rasm.

Boyish rejimida stok xarakteristikalari U_ZI = 0 da olingan boshlang‘ich xarakteristikadan - yuqorida, kambag‘allashish rejimida esa – pastda joylashadi (34 b- rasm).


a) b)

34 – rasm.

S, Ri va statik differensial parametrlar xuddi p–n –o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (3.14), (3.15) va (3.16) ifodalardan mos ravishda aniqlanadi.

Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‘ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo sig‘imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‘rsatkichlarga ega. R_ZI kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‘lib 10¹²-10¹⁵ Om ni tashkil etadi. Elektrodlararo sig‘imlar qiymati S_ZI, S_SI lar uchun -10 pF dan, S_ZS uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko‘rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.