Министерство высшего и среднего специального образования СНГ

Ish bajarish tartibi

Ishda foydalaniladi: p-n- o‘tishli maydon tranzistori 2N3370, XFG1 funktsional generator, XSC1 ostsillografi, V1 iste’mol manbayi, R2,R3,R4 rezistorlar, C1,C2,C3 kondensatorlar (60- rasm).

XSC1

XFG1

₊ V1 12V

-

C1

R3 10kΩ


Q1

C3
1µF

A ^B

₊ _ ₊ _
Ext Trig

+

_

COM

1µF

R2 100kΩ

2N3370


R4 100Ω

C2 1000µF

55. 
    rasm. P-N- o’tishli maydon tranzistorini o‘rganish.
    

1. 
   Virtual stendni yig‘amiz. Qutblilikka rioya qilib, kuchlanish generatorini V1ni ulaymiz.
   
2. 
   I_s=f(V_si ) maydon tranzistorining o‘qituvchi tomonidan berilgan qiymatlarida chiqish xarakteristikalarini olamiz. Olingan ma’lumotlarni jadval ga kiritamiz va ma’lumotlarga ko‘ra maydon tranzistorining mos VAH larini ko‘ramiz.
   
3. 
   Ikkinchi п dan olingan chiqish xarakteristikalariga ko’ra tranzistorni uzatish xarakteristikasini I_s=f(V_zi) ko‘ramiz.
   
4. 
   Tajriba yo’li bilan tranzistorni uzatish xarakteristikasini I_s=f(V_zi) oling,
   

buning uchun generatordagi kuchlanishni V1ni 12V ga teng o‘rnatamiz. Shundan keyin XFG1 funktsional generatoridagi kuchlanishni har bir 0,5V da 0 dan kesish V qiymatgacha oshiramiz. Stok tokining I_s qiymatini o‘lchaymiz va olingan ma’lumotlarni jadvalga kiritamiz. Uzib tashlash kuchlanishi V_qol stok tokida 5-10mA ga teng o‘ringa ega.

5. 
   3- va 4- punktlar bo‘yicha olingan egri chiziqlarni kuzatib, hulosa chiqaramiz.
   
6. 
   Maydon tranzistorining VAHiga ko‘ra tranzistorning uzatish xarakteristikasining tikligini S va stokning differensial qarshiligi R_s ni hisoblaymiz va ularni ideal qiymatlar bilan solishtiramiz.