Министерство высшего и среднего специального образования СНГ

Ish bajarish tartibi
 
Ishda foydalaniladi: p-n- o’tishli maydon tranzistori 2N3370, XFG1 funktsional 
generator, XSC1 ostsillografi, V1 iste’mol manbayi, R2,R3,R4 rezistorlar, C1,C2,C3 
kondensatorlari (60- rasm).   
Q1
2N3370
XFG1
COM
XSC1
A
B
Ext Trig
+
+
_
_
+
_
V1
12V 
+
-
R2
100kΩ
R3
10kΩ
R4
100Ω
C1
1µF
C2
1000µF
C3
1µF
 
 
60- rasm. P-N- o’tishli maydon tranzistorini o’rganish. 

---

79 
 
  
 
1.
 
Virtual  stendni  yig’amiz.  Qutblilikka  rioya  qilib,  kuchlanish  generatorini 
V1ni ulaymiz. 
2.
 
I
s
=f(V
si
  ) maydon tranzistorini o’qituvchi tomonidan berilgan   qiymatlarida 
chiqish  harakteristikalarini  olamiz.  Olingan  ma’lumotlarni  jadval  3.1  ga 
kiritamiz  va  ma’lumotlarga  ko’ra  maydon  tranzistorini  mos  VAH  larini 
kuramiz.  
3.
 
Ikkinchi п dan olingan chiqish harakteristikalariga ko’ra tranzistorni uzatish 
harakteristikasini I
s
=f(V
zi
) kuramiz. 
4.
 
Tajriba  yo’li  bilan  tranzistorni  uzatish  harakteristikasini  I
s
=f(V
zi
)  oling, 
buning  uchun  generatordagi  kuchlanishni  V1ni    12V  ga  teng  o’rnatamiz. 
Shundan keyin XFG1 funktsional generatoridagi kuchlanishni har bir 0,5V da 
0  dan  kesish  V  qiymatgacha  oshiramiz.  Stok  tokini    I
s 
qiymatini o’lchaymiz 
va  olingan  ma’lumotlarni  jadval  3.2  ga  kiritamiz.  Uzib  tashlash  kuchlanishi  
V
qol
 stok tokida 5-10mA ga teng o’ringa ega.  
5.
 
3- va 4- punktlar bo’yicha olingan egri chiziqlarni uzatib, hulosa chiqaramiz.  
6.
 
Maydon  tranzistorini  VAH  iga  ko’ra  tranzistorni  uzatish  harakteristikasini 
tikligini S va stokni differensial  qarshiligi ni R
s
 hisoblaymiz va ularni ideal 
qiymatlar bilan  solishtiramiz.