Министерство высшего и среднего специального образования республики узбекистан ташкентский государственный технический

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Важным условием развития Республики Узбекистан является формирование совершенной системы подготовки кадров на основе богатого интеллектуального наследия народа и общечеловеческих ценностей, достижений современной культуры, экономики, науки, техники и технологий. Новое поколение кадров должно обладать высокой общей и профессиональной культурой, творческой и социальной активностью, уметь самостоятельно ориентироваться в общественно-политической жизни, быть способным ставить и решать задачи на перспективу.
Современная педагогическая технология направлена на организацию заинтересованного, практически направленного процесса обучения, она позволяет выявить систему профессионально значимых умений педагогов по организации воздействия на обучаемых, предлагает способы осмысленной технологической педагогической деятельности, основанной на воспроизводимости, целевой направленности, умении профессионально применять полученные знания в социально-экономический условиях современного рынка труда.
Таким образом, осуществление инновационной деятельности современного преподавателя юридического вуза предполагает способность рефлексировать различные составляющие своей деятельности, т.е. стремление работать с полной самоотдачей, готовность к личностно-профессиональному саморазвитию и самосовершенствованию. От знаний и умений преподавателя, его компетентности, его понимания необходимости педагогических нововведений зависит развитие вузов нашей страны по пути модернизации и вхождения в мировое образовательное пространство.

ЛИТЕРАТУРА:

1. 
   Silicon for the Chemical Industry IV, Geiranger, Norway, June 3-5, 1998, 240 с.
   
2. 
   Технология полупроводникового кремния. / Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червонный И.Ф. и др. - М.: Металлургия, 1992. - 408с.
   
3. 
   Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния. Прев. с англ. Изд-во "Металлургия", 1969, с.336.
   
4. 
   Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1987.336с.
   
5. 
   Лапидус И.И., Кочан Б.А., Перепелкин В.В. и др.; Металлургия поликристаллического кремния высокой чистоты. - М.: Металлургия, 1971. - 143 с.
   
6. 
   Лапидус И.И., Нисельсон Л.А. Тетрахлорсилан и трихлорсилан. - М.: Химия. 1970. - 128с.
   
7. 
   Шашков Ю.М. Металлургия полупроводников. - М.: Государственное научно-техническое издательство литературы по черной и цветной металлургии, 1960. - 121 с.
   
8. 
   Таиров М.Ю. Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов.: Учебник для вузов. - 2-е изд., перераб. - М.: Высш. Шк., 1990. - 423 с.,: ил.
   
9. 
   Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов.: Учебник для вузов. М.: Металлургия, 1982. - 352 с.