Мазкур ўқув услубий мажмуа фаннинг ишчи ўқув дастури ва ишчи ўқув режасига мувофиқ ишлаб чиқилди

Ўртача кириш токи I_{КИР.ЎРТ} ҳам ДКнинг аниқлик параметр-ларидан ҳисобланади. Ўртача кириш токи силжиш токидан анча катта қийматга эга ва турли ДК ларда 1÷7·10³ нА бўлади. Ўртача кириш токи сигнал манбаи қаршилиги R_Г орқали ўтиб, унда куч-ланиш пасайиши ҳосил қилади. Бу кучланиш ўзини кирувчи синфаз сигналдек тутади. К_U.СФ марта сўндирилган ушбу кучланиш ДК чиқишида ёлғон сигнал сифатида ҳосил бўлади.
ДК кучайтириш коэффициенти коллектор занжиридаги R_К юк-лама қаршилигига боғлиқ бўлади. Интеграл технологияда R_К қий-матининг ортиши билан, кристаллда у эгаллаган юза ортади ва транзисторлар иш режимлари сақланган ҳолда, кучланиш манбаи қиймати ҳам ортади. Шунинг учун ДКларда кучайтириш коэффи-циентини ошириш учун, R_К резисторлар ўрнига, динамик (актив) юкламадан фойдаланилади. Динамик юклама биполяр ёки майдо-ний транзисторлар асосида ҳосил қилинади. Юклама сифатида ик-кинчи БТГ ишлатилган ДК схемаси 12.3-расмда келтирилган. Ик-кинчи БТГ p – n – p турли VT3 ва VT4 транзисторлар асосида яратилган. Биринчи БТГ илгаригидек ДК сокинлик режимини бел-гилайди ва эмиттер қаршилиги сифатида ишлатилади.

12.3-расм. Динамик юкламали ДК схемаси.

БТГларнинг статик қаршилиги дифференциал қаршилигига нисбатан кўп марта кичик. Бу ҳолда БТГдан сокинлик токи оқиб ўтиши ҳисобига кучланиш пасайиши, унинг статик қаршилиги би-лан аниқланади. Сигнал берилганда коллектор токларининг ўзга-риши ҳисобига чиқиш кучланишининг ўзгариши унинг дифферен-циал қаршилиги билан боғлиқ бўлади. Шунинг учун (12.3) формулада R_К ўрнига R_ДИФ қўйилиши керак. Бунда кучайтириш коэффициентининг каскадда рухсат этилган максимал қиймати то-пилади. Ташқи юклама уланганда кучайтириш коэффициентининг абсолют қиймати фақат унинг қаршилиги R_Ю билан аниқланади, яъни (12.3) формулада R_К ўрнига R_Ю қўйилиши керак.

ДКнинг асосий параметрларига дифференциал ва синфаз сиг-налларни кучайтириш коэффициентидан, синфаз ташкил этувчини сўндириш коэффициентидан ташқари кириш ва чиқиш қаршилик-лари ҳам киради.
Симметрик чиқишда юклама қаршилиги R_Ю эътиборга олин-маганда ДКнинг чиқиш қаршилиги
.
Симметрик киришда ДКнинг кириш қаршилиги чап ва ўнг томонлар кириш қаршиликлари йиғиндисига тенг бўлади ва сигнал манбаига нисбатан кетма-кет уланган бўлади. R_Э=0 бўлганда:


.
β = 100, r_Э = 250 Ом ва r_Б = 150 Ом бўлсин, бунда R_КИР = 5,35 кОм бўлади.
β нинг қиймати транзистор сокинлик токига I_Б0 боғлиқ. Шу-нинг учун кириш қаршилигини ошириш учун ДКни кичик сигнал режимида ишлатиш керак. Каскад кучайтириш коэффициенти ва ДК кириш қаршилигини сезиларли ошириш мақсадида таркибий транзисторлардан фойдаланилади. Кўпроқ Дарлингтон схемаси иш-латилади (12.4-расм). Бундай ДКнинг ток бўйича кучайтириш коэф-фициенти
.
Таркибий транзисторнинг кириш қаршилиги
.
бўлади. Ўзгартиришларни киритиб:
.

12.4-расм. Таркибий транзисторлар асосидаги ДК схемаси.

Демак, таркибий транзисторлар қўлланилганда ДК кириш қаршилиги β марта ортар экан.

ДК кириш қаршилигини кичик кириш токига эга МТларни қўллаб ҳам ошириш мумкин. Бундай схемаларни яратишда р–n ўтиш билан бошқарилувчи МТлар афзал ҳисобланади, чунки улар характеристикаларининг барқарорлиги юқорироқ.
Канали р–n ўтиш билан бошқариладиган n – каналли МТлар асосидаги ДКнинг анъанавий схемаси 12.5-расмда келтирилган. Ток белгиловчи БТГ VT3 транзистор билан R_И резистор асосида ҳосил қилинган.

12.5-расм. МТлар асосидаги ДК схемаси.

R_СИЛ1 ва R_СИЛ2 резисторлар VT1 ва VT2 транзисторлар затворига бошланғич силжитиш бериш учун хизмат қилади. ДКнинг кириш қаршилиги тескари силжитилган р – n ўтишнинг диффе-ренциал қаршилигидан иборат бўлади ва 10⁸ ÷ 10¹⁰ Ом ни ташкил этади.
Баъзан ДК кириш қаршилигини ошириш учун n – каналли р–n ўтиш билан бошқариладиган МТ ва n–p–n тузилмали БТлардан ташкил топган таркибий транзисторлардан фойдаланилади. ДКларнинг барча кўрилган турлари ҳар хил ОКларнинг кириш каскадлари сифатида ишлатилади.