Maydonli tranzistorlar

O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI OLIY VA O‘RTA MAXSUS TA’LIM VAZIRLIGI
ISLOM KARIMOV NOMIDAGI TOSHKENT DAVLAT TEXNIKA UNIVERSITETI


«ELEKTRONIKA VA AVTOMATIKA» FAKULTETI
«ISHLAB CHIQARISH JARAYONLARINI AVTOMATLASHTIRISH» KAFEDRASI

«Elektironika » fanidan

«Maydonli tranzistordan yasalgan kuchaytirgichlar » mavzusida


ﾧ


Bajardi:138 -19 guruh talabasi
Mustafaev Azizbek
Tekshirdi: phD. Dotsent.
Abduraxmonov Baxromjon
Toshkent – 2021
Reja:


1. Boshkariladigan r-n utishli maydonli tranzistorlar
2. Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar
3. Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar
4. Tranzistorning parametlari
5.Xulosa
6. Foydalanilgan adabiyotlar.

Maydonli tranzistor-chikish toki kirish kuchlanishi bilan boshkariladigan yarim o‘tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chikish tokiga ta’sir kiluvchi kirish kuchlanishi elektr maydon hosil kiladi.

Yukorida keltirilgan bipoyalar tranzistorda ikki xil-asosiy va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar muxim rol uynaydi. Maydonli tranzistorlarda tok asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil kilinib, asosiy bo‘lmagan tok tashuvi zarayad muxim rol uynamaydi. Shu sababli maydonli tranzistor unipoyalar tranzistor deb ham ataladi.
Bipoyalar tranzistorda chikish toki baza yoki emitterning kirish toki bilan boshkariladi. Unda kirish qarshiligi kichik bo‘ladi. Kirish qarshiligi kichik bulishi zarur bulgan hollarda bipolyar tranzistorni ishlatish mumkin. Lekin ayrim sxemalar kirish qarshiligi katta bulishini takozo kiladi.
Maydonli tranzistorlarda tokni boshkarish elektr maydon vositasida boshkarilganidan o‘zgarmas tok va past chastotali o‘zgaruvchan toklar uchun tranzistorning kirish qarshiligi juda katta bo‘ladi: 108-1015 Om.
Maydonli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasi bipoyalar tranzistorlarga nisbatan soddarok. Bundan tashkari, maydonli tranzistorlar mikrosxemalarda kichik yuzani egallaydi va kam tok iste’mol kiladi. Shu sababli kichik ulchamda bir necha mingdan, un minggacha tranzistor va rezistorlarni hosil qilishimkonini beradi. Maydonli tranzistorlar tayyorlanish texnologiyasi va konstruktiv ijrosiga kura, ikki gruppaga bulinadi: boshkariladigan r-n utishli va zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar