Mavzu: Raqamli mikrosxemalarning seriyalari va rusumlash tizimi

Dizayn darajalari 
Hozirgi vaqtda (2014) integral mikrosxemalarning aksariyati ishlab chiqarish 
jarayonlarini 
avtomatlashtirish 
va 
tezlashtirishga 
imkon 
beradigan 
ixtisoslashtirilgan SAPR tizimlari yordamida ishlab chiqilgan, masalan, topologik 
fotomaskalarni olish. 
Tasnifi 
Integratsiya darajasi 
Integratsiya darajasiga qarab, integral mikrosxemalarning quyidagi nomlari 
ishlatiladi: 

kichik integral mikrosxema (MIS) - kristallda 100 ta element, 

o'rta integral mikrosxemasi (SIC) - kristallda 1000 tagacha element, 

katta integral mikrosxema (LSI) - kristallda 10 minggacha element, 

juda katta integral mikrosxema (VLSI) - kristall tarkibidagi 10 mingdan 
ortiq element. 
Ilgari, eskirgan nomlar ham ishlatilgan: ultra keng ko'lamli integral 
mikrosxemalar (UBIS) - kristaldagi 1-10 milliondan 1 milliardgacha elementlar va 
ba'zan gigabaytli integral mikrosxemalar (GBIS) - 1 milliarddan ortiq elementlar 
kristall. Hozirgi vaqtda, 2010-yillarda "UBIS" va "GBIS" nomlari amalda 

---

qo'llanilmaydi va 10 mingdan ortiq elementlarga ega bo'lgan barcha mikrosxemalar 
VLSI deb tasniflanadi. 
Ishlab chiqarish texnologiyasi 
STK403-090 gibrid mikromassasi ishdan chiqarildi 

Yarimo'tkazgichli mikrosxem - barcha elementlar va elementlararo 
ulanishlar bitta yarimo'tkazgich kristalida (masalan, kremniy, germaniy, galyum 
arsenidi) amalga oshiriladi. 

Filmning integral sxemasi - barcha elementlar va elementlararo 
ulanishlar filmlar ko'rinishida amalga oshiriladi: 
o
qalin plyonkali integral mikrosxema; 
o
yupqa plyonkali integral mikrosxema. 

Gibrid IC (tez-tez chaqiriladi) 
mikro yig'ish
) tarkibida bir nechta chipsiz 
diodlar, chipsiz tranzistorlar va (yoki) boshqa elektron faol komponentlar 
mavjud. Bundan tashqari, mikro yig'ish chipsiz integral mikrosxemalarni o'z 
ichiga olishi mumkin. Passiv mikro yig'ish komponentlari (rezistorlar, 
kondensatorlar, induktorlar) odatda umumiy, odatda keramika, gibrid 
mikrosxemalar substratida yupqa plyonka yoki qalin plyonka texnologiyalari 
yordamida ishlab chiqariladi. Barcha substrat va tarkibiy qismlar bitta 
muhrlangan muhofazada joylashgan. 

Aralash mikrosxem - yarimo'tkazgich kristalidan tashqari tarkibida 
kristall yuzasida joylashgan ingichka qatlamli (qalin plyonka) passiv elementlar 
mavjud. 
Qayta ishlangan signal turi 

Analog-raqamli.