Mavzu: Raqamli mikrosxemalarning seriyalari va rusumlash tizimi. Reja

Dizayn darajalari
Hozirgi vaqtda (2014) integral mikrosxemalarning aksariyati ishlab chiqarish jarayonlarini avtomatlashtirish va tezlashtirishga imkon beradigan ixtisoslashtirilgan SAPR tizimlari yordamida ishlab chiqilgan, masalan, topologik fotomaskalarni olish.
Tasnifi
Integratsiya darajasi
Integratsiya darajasiga qarab, integral mikrosxemalarning quyidagi nomlari ishlatiladi:

• 
  kichik integral mikrosxema (MIS) - kristallda 100 ta element,
  
• 
  o'rta integral mikrosxemasi (SIC) - kristallda 1000 tagacha element,
  
• 
  katta integral mikrosxema (LSI) - kristallda 10 minggacha element,
  
• 
  juda katta integral mikrosxema (VLSI) - kristall tarkibidagi 10 mingdan ortiq element.
  

Ilgari, eskirgan nomlar ham ishlatilgan: ultra keng ko'lamli integral mikrosxemalar (UBIS) - kristaldagi 1-10 milliondan 1 milliardgacha elementlar va ba'zan gigabaytli integral mikrosxemalar (GBIS) - 1 milliarddan ortiq elementlar kristall. Hozirgi vaqtda, 2010-yillarda "UBIS" va "GBIS" nomlari amalda qo'llanilmaydi va 10 mingdan ortiq elementlarga ega bo'lgan barcha mikrosxemalar VLSI deb tasniflanadi.
Ishlab chiqarish texnologiyasi
STK403-090 gibrid mikromassasi ishdan chiqarildi

• 
  Yarimo'tkazgichli mikrosxem - barcha elementlar va elementlararo ulanishlar bitta yarimo'tkazgich kristalida (masalan, kremniy, germaniy, galyum arsenidi) amalga oshiriladi.
  

• 
  Filmning integral sxemasi - barcha elementlar va elementlararo ulanishlar filmlar ko'rinishida amalga oshiriladi:
  
  • 
    qalin plyonkali integral mikrosxema;
    
  • 
    yupqa plyonkali integral mikrosxema.
    
• 
  Gibrid IC (tez-tez chaqiriladi) mikro yig'ish) tarkibida bir nechta chipsiz diodlar, chipsiz tranzistorlar va (yoki) boshqa elektron faol komponentlar mavjud. Bundan tashqari, mikro yig'ish chipsiz integral mikrosxemalarni o'z ichiga olishi mumkin. Passiv mikro yig'ish komponentlari (rezistorlar, kondensatorlar, induktorlar) odatda umumiy, odatda keramika, gibrid mikrosxemalar substratida yupqa plyonka yoki qalin plyonka texnologiyalari yordamida ishlab chiqariladi. Barcha substrat va tarkibiy qismlar bitta muhrlangan muhofazada joylashgan.
  
• 
  Aralash mikrosxem - yarimo'tkazgich kristalidan tashqari tarkibida kristall yuzasida joylashgan ingichka qatlamli (qalin plyonka) passiv elementlar mavjud.
  

Qayta ishlangan signal turi

• 
  Analog-raqamli.