Mavzu: proporsional-integral mikrosxemalar maydonli tranzistorlar

Mantiqiy IMS parametrlari
Axborotni kodlash usuliga ko‘ra mantiqiy elementlar potensial va impuls usullariga bo‘linadilar.
Mantiqiy elementlarning ko‘pchiligi potensial hisoblanadi, ya’ni ularda ikkilik axborot ikkita elektr potensial daraja ko‘rinishida ifodalanadi: mantiqiy 0 – past potensial U⁰, mantiqiy 1 – yuqori potensial U¹. Impuls mantiqiy elementlarda mantiqiy birga - impulsning mavjudligi, mantiqiy nolga – uning mavjud emasligi mos keladi.
IMS potensial mantiqiy elementlari quyidagi parametrlar bilan xarakterlanadi:

• 
  mantiqiy «0» va «1» kuchlanishlari - U⁰ va U¹;
  
• 
  mikrosxema holati teskari holatga o‘zgaradigan kirishdagi ma’lum kuchlanish – bo‘sag‘aviy kuchlanish U_BO‘S;
  
• 
  kirish bo‘yicha birlashish koeffisienti m (kirishlar soni);
  
• 
  chiqish bo‘yicha tarmoqlanish koeffisienti n (yuklama qobiliyati yoki mazkur IMS chiqishiga ulash mumkin bo‘lgan xuddi shunday mirosxemalar soni);
  
• 
  U_KIR= U⁰ va U_KIR= U¹ larga mos keluvchi kirish toklari I⁰_KIR va I¹_KIR ;
  
• 
  xalaqitlarga bardoshligi – yuqori U¹_XAL va past U⁰_XAL kirish kuchlanish darajasi bo‘yicha mumkin bo‘lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati;
  
• 
  manbadan iste’mol qilinayotgan quvvat R;
  
•