Mavzu: Nanostrukturalarda fundamental elektron hodisalar. Kvant o’tishli o’tatizimlar. Kvant chegaralanishi. Ko’p komponentli va ko’p qatlamli tizimlar hosil qilish

Metall/dielektrik/yarimo’tkazgich strukturlari haqida.

2-rasm. Polivoy tranzistori
Polivoy tranzistorni strukturasi – metal/oksel/yarimo’tkazgich va uning energetik diagrammasi ma’lum bir yo’nalishda harakat qilayotgan elektronlar oddiy strukturalar matel/oksel/yarimo’tkazgich (MOP) polivoy tranzistorlar harakati chegaralanishi mumkin.
Bu kremniy asosida tayyorlangan polivoy tarnzistor. MOP strukturasi monokristall kremniy podloshka sirtida tayyorlangan p-tipli o’tkazuvchanlikka ega. Yuqorida metalldan tayyorlangan elektrod-zatvod xuddi kondensator sifatida ifodalanadi.
Tashqi qo’yilgan kuchlanish oshirilsa yupqa inversion sloy hosil bo’ladi. Bu sloyda elektron bilan to’yingan bo’ladi. Bu yarimo’tkazgichda energetik zonaning egilishi kuzatiladi. Bu egilish dielektrik bilan chegara joyda kuzatiladi. Inversiya sloy elektronlar uchun kvant chuqurlik hisoblanadi.
Kremniyda elektronlar konsentratsiyasi 10¹³ sm^-2, harakatchanlik 10³-10⁴ sm²V^-1s^-1