Mavzu: Buyruqlar tizimi arxitekturasini tasniflash, operandlarning turlari va formati, buyruqlarning turlari va formati

Statik xotira
Elektr toki mavjud bo’lganda ishlaydigan xotira mikrosxemasi statik xotira deyiladi. Uning tashkil qilinishi quyida
Ikkita invertorni X-simon joylashtirib ajratkich hosil qilinadi. Bu ajratkich T1 va T2 tranzistorlari orqali bit shinasiga bog’lanadi. So’z shinasining boshqaruvi ostida tranzistorlar ajratkich vazifsini ham bajaradi. So’z shinasida tok mavjud bo’lmasa tranzistorlar o’chirilgan va ajratkichining holati o’zgarmaydi.
O’qish
Xotiradan o’qishda xotirani boshqarish sxemasi so’z shinasini faollashtiradi, bunda T1 va T2 yopiladi. Agar yacheykaning qiymati 1 ga teng bo’lsa, b da yuqori, b’ da past kuchlanish bo’ladi. Agar yacheyka 0 ga teng bo’lsa aksincha. Bit shinasi oxiridagi sxemalar b va b’ xolatini tekshiradi va mos chiqish signaligi o’rnatadi (hosil qiladi, uzatadi).
Yozish
Yacheyka xolatini aniqlash uchun tegishli qiymat b ga,qo’shimchasi esa b’ ga joylanadi va so’zshinasi faollashtiriladi. Kerakli signallar bit shinasida hosil bo’ladi.
Asinxron xotira.
Statik RAM (xotira) tez ishlaydi, lekin har bir yacheykasi bir nechta tranzistorli bo’lgani sababli qimmat baholanadi. Shu sababli nisbatan oddiyroq tuzilmali, nisbatan arzonroq bo’lgan xotira qurilmalari ishlab chiqariladi. Bunday yacheykalar o’z xolatini uzoq muddat saqlab tura olmaganligi uchun dinamik xotira (RAM) deyiladi.
Dinamik xotira yacheykasida axborot kondensatordagi zaryad shaklida saqlanadi, va bu zaryad bir necha millisekund turishi mumkin. Yacheykadagi axborotni ko’proq muddat saqlab turish zaruriyati kondensatordagi zaryadni to’ldirish bilan ta’minlanadi.
Bunda bitta kondensator va bitta tranzistorli eng oddiy xotira yacheykasi keltirilgan. Bu yacheykaga yozishda T tranzistor qo’shiladi va bit shinasiga kuchlanish uzatiladi. Natijada kondensatorda zaryad hosil bo’ladi. Tranzistor o’chirilganda kondensator razryadlanib boshlaydi. Kondensator zaryadi chegara qiymatdan pasaymasdan oldin olingan axborot to’g’ri bo’ladi. O’qish jarayoni yacheyka tranzistori qo’shilgan holatda sodir bo’ladi. Bit shinasiga ulangan kuchaytirgich kondensator zaryadi belgilangan chegara qiymatdan yuqori yoki pastligini o’lchaydi. Yuqori bo’lsa, bit shinasiga yuqori kuchlanish (1 ni) uzatadi va kondensator qiymatni saqlab turish uchun qayta zaryadlanadi. Agar kuchlanish chegara qiymatdan past bo’lsa kuchaytirgich bit shinasiga past kuchlanish (0 ni) uzatadi va kondensator kuchlanishi pasayishda davom etaveradi. Shunday qilib, o’qish jarayonida yacheyka tarkibi avtomatik yangilanadi. Tanlangan satrning hamma yacheykalari bir vaqtda o’qiladi, natijada butun satr qiymati yangilanadi.
Bunda 2Mx8 konfiguratsiyali 16 megabitli DRAM mikrosxemasi keltirilgan. Unda har bir satrning 4096 ta yacheykalari 8 ta yacheykadan iborat, har biri 512 bayt axborot hajmli 8 yacheykali 512 guruhga bo’lingan va 4Kx4K massiviga birlashgan. O’z-o’zidan, satrni tanlash uchun 12 adres razryadi kerak bo’ladi. Yana 9 razryad satrdagi 8 bitli guruhni tanlsh uchun zarur. Demak, bunday mikrosxemada1 baytni o’qish/yozish uchun 21 razryadli adres kerak bo’ladi. Yuqori 12 va quyi 9 razryadlar satr va ustun bayt adreslarini tashkil etadi. Mikrosxemaning chiqishlari sonini ixchamlashtirish maqsadida satr va ustun adreslari 12 chiqishga multiplekslanadi. O’qish yoki yozish jarayonida mikrosxemaning chiqishlariga dastlab satr adreslari uzatiladi. Kiruvchi RAS (Row Address Strobe – satr adresi strobi) signaliga javob qilib uzatilgan adreslar satrlarga yoziladi