Материалы и методы нанотехнологий : учебное пособие

глава 2. Получение компактных двумерных и трехмерных наноматериалов
Со-А1-О, осажденные на стеклянную подложку, были получены мето-
дом реактивного распыления в атмосфере Аr + О
2
с использованием 
мишени из сплава Cо
72
A
l28
. Концентрация кислорода в пленках изме-
нялась от 0 до 47 ат. % при контроле над парциальным давлением О
2
в газовой смеси для реактивного распыления. Исследование показа-
ло, что гигантское магнетосопротивление в пленке появляется, ког-
да частицы Со полностью окружены аморфным оксидом алюминия. 
Значение гигантского магнетосопротивления очень сильно меняет-
ся в зависимости от содержания кислорода в пленке и является мак-
симальным, когда среднее расстояние между металлическими нано-
частицами минимально.
Разновидностью осаждения из плазмы является 
магнетронное 
распыление
, которое позволяет использовать катоды не только из ме-
таллов и сплавов, но и из различных соединений и снижать темпера-
туру подложки на 200 K. Это расширяет возможности получения нано-
структурированных пленок. Однако степень ионизации, кинетическая 
энергия ионов и скорость осаждения при магнетронном распылении 
ниже, чем при использовании плазмы электродугового разряда. С по-
мощью магнетронного распыления мишени Ni
0.75
Al
0.25
и осаждения 
металлических паров на аморфную подложку получены интерметал-
лидные пленки Ni
3
Al со средним размером кристаллитов около 20 нм.
Эпитаксиальное осаждение
 
(в вакууме, газовой или жидкой 
фазе) — один из основных методов синтеза полупроводниковых ми-
кро- и наноструктур. Эпитаксиальное осаждение представляет собой 
процесс образования твердого вещества на подложке. Поскольку обра-
зование эпитаксиальных слоев идет путем возникновения и слияния 
кристаллических зародышей, размеры которых заведомо превышают 
толщину монослоя, невозможно получить слой вещества заданной 
толщины и воспроизвести состав, строение химических соединений.