Mantiqiy integral sxemalar negiz elementlari

Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan elementlar (n – MDYa). 9.7 – rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan sxema keltirilgan.
Yuklama tranzistori VT0 doim ochiq. Chiqishda juda kichik kuchlanish darajasi U0ChIQ ni ta’minlash maqsadida ochiq VT1 va VT2 tranzistorlarning kanal qarshiliklari VT0 tranzistor kanal qarshiligidan kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli VT1 va VT2 tranzistorlar kanali qisqa va keng qilib, yuklamadagi tranzistor kanali esa - uzun va tor qilib yasaladi. Biror kirishga yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasiga mos keluvchi musbat potensial berilsa, (U1KIR(UBO‘S), bir yoki ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy nol o‘rnatiladi (U0ChIQ(UBO‘S). Agar ikkala kirishga ham mantiqiy nol berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi. Chiqishdagi potensial mantiqiy birga mos keladi. Element 2YoKI –EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,1(1,5 mVt, tezkorligi esa – 10(100 ns ni tashkil etadi.
O‘KIS va KISlarda KMDYa va I2M mantiqiy elementlari qo‘llaniladi. Ular tarkibida rezistorlar bo‘lmaydi va mikrotoklar rejimida ishlaydilar. Shu sababli kristallda kichik yuzani egallaydilar va kam quvvat iste’mol qiladilar. KISlarda elementlar soni 105 ta bo‘lganda bir element iste’mol qilayotgan quvvat 0,025 mVT dan oshmasligi kerak.
Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar (KMDYaM). Ikki kirishli element sxemasi 9.8 – rasmda keltirilgan. Ikkaola kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa n – kanalli VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, r – kanalli VT3 va VT4 tranzistorlar ochiladi.
Berk tranzistorlarning kanalidagi tok juda kichik ((10-10A). Demak, manbadan tok deyarli iste’mol qilinmaydi va sxemaning chiqishida Yem ga yaqin potensial o‘rnatiladi (mantiqiy bir darajasi). Agar biror kirish yoki ikkala kirishga mantiqiy bir darajasi berilsa, VT1 va VT2 tranzistorlar ochiladi va element chiqishida potensial nolga yaqin bo‘ladi. Element 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste’mol quvvati 0,01(0,05 mVtni, tezkorligi esa 10(20 ns ni tashkil etadi.
Integral – injeksion mantiq elementi (I2M). Kalit komplementar bipolyar tranzistorlar juftligidan tashkil topgan bo‘lib, n-p-n turli VT1 tranzistor ko‘pkollektorli bo‘lib, uning baza zanjiriga p-n-p turli VT2 ko‘pkollektorli tranzistor ulangan. Bu tranzistor injektor nomini olgan bo‘lib, barqaror tok generatori vazifasini bajaradi (9.10 a – rasm.
VT1 tranzistor emitter – kollektor oralig‘i kalit vazifasini bajaradi. Signal manbai va yuklama sifatida xuddi shunday sxemalar ishlatiladi. Agar kirishga mantiqiy birga mos keluvchi yuqori potensial berilsa, VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimida bo‘ladi. Uning chiqishidagi potensial nol potensialiga mos keladi. Kirishga mantiqiy nolga mos keluvchi potensial berilsa, VT1 tranzistorning emitter o‘tishi berkiladi. Kovaklar toki IQ (qayta ulanish toki) VT1 tranzistorning kollektor o‘tishini teskari yo‘nalishda ulaydi. Buning natijasida VT1 chiqish qarshiligi keskin ortadi va uning chiqishida mantiqiy bir potensiali hosil bo‘ladi. Ya’ni mazkur sxema yuqorida ko‘rilgan sxemalar kabi invertor vazifasini bajaradi. Mantiqiy amallarni bajarish invertor chiqishlarini metall simlar bilan birlashtirish natijasida amalga oshiriladi. 9.10 b – rasmda HAM amalini bajarish usuli ko‘rsatilgan. Haqiqatdan ham, agar X1 yoki X2 kirishlardan biriga yuqori potensial berilsa U1KIR, natijada birlashgan chiqishlarda (A nuqta) past potensial hosil bo‘ladi U0. Natijada va invers o‘zgaruvchilarning kon’yuksiyasi bajariladi. Ular VT1 va VT3 invertor chiqishlarida hosil bo‘ladi: . I2M elementining tezkorligi 10(100 ns va iste’mol quvvati 0,01(0,1 mVt. Kristallda bitta I2M elementi KMDYa –elmentga nisbatan 3(4 marta kichik, TTM – elementiga nisbatan esa 5(10 marta kichik yuzani egallaydi.
Ko‘rib o‘tilgan mantiqiy IMS negiz elementlarining
Asosiy parametrlari jadvali
Parametr
Negiz element turi
TTM
TTMSh
N – MDYa