Mantiqiy integral mikrosxemalarning negiz elementlari

X1 va X2 kirishlar mantiqiy bir potennsialiga ega (2,4 V) deb faraz qilaylik. Bunda KET emitter o‘tishlari berk bo‘ladi va tok quyidagi zanjir orqali oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KETning ochiq bo‘lgan kollektor o‘tishi VT1 tranzistor bazasiga yo‘nalgan bo‘ladi, shu sababli VT1 to‘yinish rejimiga o‘tadi va uning kollektorida mantiqiy nol past potensiali o‘rnatiladi (0,4 V).

• X1 va X2 kirishlar mantiqiy bir potennsialiga ega (2,4 V) deb faraz qilaylik. Bunda KET emitter o‘tishlari berk bo‘ladi va tok quyidagi zanjir orqali oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KETning ochiq bo‘lgan kollektor o‘tishi VT1 tranzistor bazasiga yo‘nalgan bo‘ladi, shu sababli VT1 to‘yinish rejimiga o‘tadi va uning kollektorida mantiqiy nol past potensiali o‘rnatiladi (0,4 V).

• a) b)
• 1 – rasm.

Endi esa, ikkala kirishga kichik kuchlanish potensiali (mantiqiy nol potensiali) berilgan deb faraz qilaylik. Bu holatda KET emitter o‘tishlari kollektor o‘tish kabi to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan bo‘ladi. KET baza toki ortadi, shu tranzistor kollektor toki, demak, VT1 baza toki esa sezilarli kamayadi. KET tok asosan quyidagi yo‘nalishda oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KET baza – emitteri – kirishdagi signal manbai – umumiy shina. VT1 tranzistor baza toki deyarli nolga teng bo‘lganligi sababli, bu tranzistor berkiladi va sxemaning chiqishida yuqori kuchlanish darajasi (2,4 V – mantiqiy bir) yuzaga keladi.

• Endi esa, ikkala kirishga kichik kuchlanish potensiali (mantiqiy nol potensiali) berilgan deb faraz qilaylik. Bu holatda KET emitter o‘tishlari kollektor o‘tish kabi to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan bo‘ladi. KET baza toki ortadi, shu tranzistor kollektor toki, demak, VT1 baza toki esa sezilarli kamayadi. KET tok asosan quyidagi yo‘nalishda oqib o‘tadi: kuchlanish manbai YeM – rezistor R1 – KET baza – emitteri – kirishdagi signal manbai – umumiy shina. VT1 tranzistor baza toki deyarli nolga teng bo‘lganligi sababli, bu tranzistor berkiladi va sxemaning chiqishida yuqori kuchlanish darajasi (2,4 V – mantiqiy bir) yuzaga keladi.