Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

1.4. Майдоний транзисторларнинг математик модделари 
 
p-n ўтиш билан бошқарладиган МТларнинг асосий тенгламаси даражаси 3/2 
бўлган ташкил этувчиларга эга. Шунинг учун амалда барча МТЛар учун ВАХларининг 
аппроксимациясидан фойдаланилади. 
Канали индукцияланган МДЯ – транзистор учун сток токи канал текис ўзгарувчи 
режимда қуйидаги ифодадан топилиши мумкин. 
2
0
1
[(
)
]
2
C
ЗИ
СИ
СИ
I
B U
U U
U



. (1.4) 
Бу ерда В - МДЯ – транзисторнинг солиштирма тиклиги 
0
ZC
В
L


. (1.5) 

---

19 
Шундай қилиб, канал узунлиги L қанчалик кичик, заряд ташувчилар 
ҳаракатчанлиги μ, затвор остидаги диэлектрик сиғими С
0
ва канал кенглиги Z катта бўлса, 
сток токи шунчалик катта бўлади. 
Сток токи затвор кучланишининг маълум U
ЗИ
=const қийматида (1.4)га мувофиқ 
U
СИ.ТЎЙ
=(U
ЗИ
-U
0
 ) шартни қаноатлантирувчи қийматда ўзининг максимал I
С.ТЎЙ 
қийматига 
эришади. Бундай тўйиниш режимида сток токи
2
0
.
)
(
2
U
U
B
I
ЗИ
ТЎЙ
С


. (1.6) 
U
СИ 
>U
СИ.ТЎЙ 
бўлганда канал узунлиги камаяди (канал узунлигини модуляциялаш 
эффекти), тиклик В (1.5) га мувофиқ ортади. Бу ҳолда


)
(
1
)
(
2
.
2
0
.
ТЎЙ
СИ
СИ
ЗИ
ТЎЙ
С
U
U
g
U
U
B
I




. (1.7) 
Тажриба натижаларига асосан транзисторлар учун g=10
-2
÷0,5∙10
-3 
га тенг, яъни сток 
токи U
СИ
кучланиш ортиши билан бироз ортади. 
Узун каналли транзисторлар учун ўринли бўлган (1.5), (1.) ва (1.7) ифодалар U
ЗИ
, 
U
СИ
, U
0
кучланишларнинг ихтиѐрий муносабатларида сток токи қийматини аниқлаш ва 
транзисторнинг статик характеристикаларини топиш имконини беради. 
Узун канал деб узунлиги L>3 мкм бўлган каналга айтилади. Калта каналли МДЯ – 
транзисторлардаги жараѐнларни ҳисоблаш жуда мураккаб. Ҳисоблашлар ва тажрибанинг 
асосий натижалари қуйидагилардан иборат. U
СИ
кучланиш қиймати ортганда ток ортиши 
секинлашади, тўйиниш кучланиши U
СИ.ТЎЙ 
камаяди, бўсағавий кучланиш сток – исток 
кучланиши U
СИ
га боғлиқ бўлиб қолади. 
(1.4), (1.6) ва (1.7) ифодалар p-n ўтиш билан бошқариладиган МТлар учун ҳам, 
агар (U
ЗИ
-U
0
) ўрнига (U
ЗИ.БЕРК
-U
ЗИ
) қўйилса, канали қурилган МДЯ – транзисторлар учун 
ҳам ўринли. Бунда параметр В канали индукцияланган МДЯ - транзистор солиштирма 
тиклигига ўхшаш бўлиб,унинг геометрик ўлчамлари билан аниқланади 
0
0
4
3
Z
В
d L
 

. (1.8) 

---

20