Лабораторная работа №12 Исследование статических вах бт в схеме включения с об

2. Задание на выполнение лабораторной работы:

2.1. Провести подготовку к эксперименту:

Ознакомиться со структурой и предельными параметрами транзистора, данные транзистора занести в протокол; заготовить таблицы для измерений.
Таблица 12.1
Входные и управляющие характеристики

ЕЭ	В
UБЭ	В
IЭ	мА
IK	мА

Таблица 12.2
Выходные характеристики транзистора

IЭ, мА
	UКБ	В
	IK	мА
	UКБ	В
	IK	мА
	UКБ	В
	IK	мА
и т.д.

Собрать схему для измерений (рис. 12.2), схема цоколевки транзистора представлена на рис. 12.3. Сопротивление резистора R₁= (270–510 ) Oм и R₂= (510–1000 ) Oм.

Рис. 12.2. Схема измерения семейства статических характеристик БТ
в схеме с ОБ.

Рис. 12.3. Схема цоколевки измеряемого образца.

2.2. Снять входную и управляющие характеристики транзистора при постоянном напряжении U_КБ = 5В. Результаты измерений и расчетов занести в табл. 12.1.

2.3. Снять семейство выходных характеристик:
Семейство выходных характеристик снимать, начиная от тока эмиттера I_Э = 0 мА и далее с шагом 4 мА. Ток коллектора при этом не должен превышать допустимого значения; шаг изменения напряжения U_КБ должен быть выбран так, чтобы в активном режиме (U_КБ >0) снять 3-5 точек и (U_КБ <0) режимы насыщения - 2-3 точки.


3. Обработка результатов эксперимента:

3.1. Построить на графиках входную и управляющую характеристики, а также семейство выходных характеристик.

В точке U_КБ =5 В, I_Э = 8 мА определить параметры транзистора
, ,

3.2. Построить выходную характеристику при токе эмиттера, равном 8 мА. Провести ее линейно - кусочную аппроксимацию и определить U_КБ.НАС, I_К.НАС , r_К.НАС , r_К..

4. Содержание отчета:

1. схемы измерений;

2. таблицы и графики снятых зависимостей;
3. результаты расчетов.


5. Контрольные вопросы.

1. Поясните принцип работы БТ в схеме включения с ОБ, функции эмиттерного и коллекторного р-n перехода, области базы.

2. Назовите составляющие тока эмиттера и укажите его направление в транзисторах n-p-n и p-n-p.
3. Назовите составляющие тока базы и укажите его направление в транзисторах n-p-n и p-n-p.
4. Что такое токи I_КБ0 и I_КЭ0 ? Движением каких носителей они определяются?
5. Укажите на семейство выходных характеристик БТ в схеме ОБ активную область, области отсечки и насыщения.
6. Нарисуйте идеализированную электрическую модель БТ и объясните физическую смысл его параметров.
7. Что такое инверсный режим БТ ?