|
Kurs loyihasini amalga oshirishning asosiy bosqichlari.
1. Elektr zanjirining maqsadga muvofiqligi nuqtai nazaridan planar epitaksial yoki boshqa baza bo'yicha ishlab chiqarish texnologiyasini tahlil qilish.
2. Elementlarni izolyatsiyalashning tanlangan usulini asoslash.
3. Elektr sxemalarda tranzistorlar va diodlardan oqib chiqadigan maksimal tok va rezistorlar orqali o’tgan maksimal quvvatlarni aniqlash bilan tahlil qilish .
4. Izolyatsiya qilingan maydonlar sonini aniqlash.
5. Asosiy texnologik jarayonni tanlash: diffuziya qatlamlari va tagliklarning xususiyatlari; aralashmalarning sirt konsentratsiyasi (Ns); solishtirma qarshilik (ρ) yoki tashqi solishtirma qarshiligi (Rs); diffuziya qatlamlarining chuqurliklari.
6. Korpusning turini tanlash.
7. IMS ishlab chiqarish uchun texnologik jarayonlarini tanlash.
8. Aktiv elementlarning geometrik o'lchamlarni hisoblash va topologiyasini tanlash.
9. Passiv elementlarning geometrik o'lchamlarni hisoblash va topologiyasini tanlash.
10. Topologiyaning eskizini ishlab chiqish.
11. Elementlarning topologiyalarini tuzatish.
12. IMS topologiyasining optimallashtirilgan versiyasini ishlab chiqish.
Tushuntirish xatining dizayni va mazmuni
1. Kurs loyihasining vazifasi.
2. Elektr zanjiri prinsipial sxemasi. (Misol 2-rasmda keltirilgan.)
3. Elektr zanjiri ishlashining qisqacha tavsifi.
4. IMS ishlab chiqarish bo'yicha texnologik jarayonlarning ro'yxati.
5. Izolyatsiya qilingan maydonarning ro'yxati.
6. 1-jadvalga diffuzion qatlamlarning xususiyatlari bilan kontaktlarning zanglashiga olib keladigan elementlarning zarur parametrlarini ta'minlash (B = 60 – 80; f2 = 100 мГц).
Qo’shimcha ma'lumotlar
1 – Jadval
Maydon
|
O'tkazuvchanlik turi
|
solishtirma qarshilik
ρ, Om ⋅ sm
|
|
Maydon qalinligi,
mkm
|
Boshlang’ich
|
p
|
1
|
|
200
|
Kollektor
(epitaksial)
|
n
|
–
|
|
51 – Jadval
|
Bazaviy
|
P
|
–
|
|
2,4
|
Emitter
|
|
–
|
|
1,7
|
Yashirin
|
|
–
|
|
5
|
7– variant: . Shottki o‘tish TTLSH li mantiqiy elementning prinsipial sxemasi
7. Rezistorlar va kondansatorlar topologiyalarini hisoblash (uzunligi va
rezistorlar kengligi, kondansatorlar yuqori qismlarining maydoni).
Diffuzion rezistorlar topologiyasini hisoblashda Rezistorning kengligi (b) bilan taqqoslaganda, aloqa yostiqchalari turiga va ularning o'lchamlariga qarab kontakt prokladkalarining ta'sirini hisobga oling (3-rasm). K koeffitsienti tegishli grafiklar bo'yicha aniqlanadi.
3 - rasm
Emitter maydonining kengligini (h) dan iborat diodlar va tranzistorlarning topologiyalarini hisoblash; boshqa o'lchamlar 4-rasmda keltirilgan. METning "bo'yin" uzunligi va kengligi qisqartirilgan shaklda hisoblanadi.
Qolgan minimal o'lchamlari 2-jadvalda keltirilgan.
Yarimo'tkazgich mikrosxemalar geometrik parametrlarning minimal qiymatlari
2 – jadval
Parametr
|
Qiymati, mkm
|
Chiziqli o'lchamlarni ishlab chiqarishda xatolik
|
0,3
|
Chiziqli o'lchamlarning muntazam ravishda ko'payishi
(oksid plyonkali surtish)
|
0,6
|
Kontakt maydonining hajmi
|
50x50
|
Metall yo'lning kengligi va masofasi ular orasida
|
5
|
Kristall chegarasidan metallashtirishgacha bo'lgan masofa
yoki diffuziya maydoni
|
50
|
Metallizatsiya bilan aloqa oynasi bir-biriga yopishadi
|
2
|
Izolyatsion diffuziya uchun deraza kengligi
|
5
|
Izoh. Ushbu qiymatlar taxminiydir, chunki chip ishlab chiqarish texnologiyasining rivojlanishi bilan ular kamayadi.
|
9. IMS zanjir topologiyasining eskizi (5-rasm).
5 – rasm
10. IMS topologiyasi (misol 6-rasmda keltirilgan). Agar topologiya bitta rangda chizilgan bo'lsa, alohida varaqlarda tayyorlangan barcha qatlamli rasmlarni (rasm niqoblarining rasmlari) IMS topologiyasini chizish miqyosida keltirish kerak.
6-rasm
Qatlamli rasmning namunasi 7-rasmda keltirilgan. Topologiya rasmlari va qatlamli chizmalar tekislash elementlariga ega bo'lishi kerak. Odatda, elementlari fotosurat shablonlarini birlashtirishda bir-biriga mos keladigan ikkita o'lchamdagi kvadratlar shaklida ko’rsatiladi.
7-rasm
Biz misol sifatida musbat fotorezistor yordamida fotolitografiya qilish uchun. kombinatsiya elementlaridan foydalanishni ko’ramiz:
Do'stlaringiz bilan baham: |
