Kurs loyihasi Fan Guruh Talaba Rahbar t o p shiri q

h–параметрлар деб аташ қабул қилинган. Уларга қуйидагилар киради: h₁₁ – чиқишда қисқа туташув бўлган вақтдаги транзисторнинг кириш қаршилиги; h₁₂ – узилган кириш ҳолатидаги кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти; h₂₁ –чиқишда қисқа туташув бўлган вақтдаги ток бўйича кучайтириш (узатиш) коэффициенти; h₂₂ –узилган кириш ҳолатидаги транзисторнинг чиқиш ўтказувчанлиги. Барча h – параметрлар осон ва бевосита ўлчанади.
Электроника бўйича аввалги адабиётларда кичик сигналли параметрларнинг частотавий боғлиқликларига жуда катта эътибор қаратилган. Ҳозирги вақтда 10 ГГц гача бўлган частоталарда нормал ишни таъминлайдиган транзисторлар ишлаб чиқарилмоқда. Бундай холларда талаб қилинаётган частота характеристикаларини олиш учун маълумотномадан керакли транзистор турини танлаш керак.

1 – jadval. Qo‘shimcha ma’lumotlar

Maydon	O‘tkazuvchanlik turi	solishtirma qarshilik ρ, Om ⋅ sm		Maydon qalinligi, mkm
Boshlang‘ich	p	1		200
Kollektor (epitaksial)	n	-		5
Bazaviy	P	-		2,4
Emitter	n^+	-		1,7
Yashirin	n^+	-		5

Rezistorlar va kondensatorlar topologiyalarini hisoblash (uzunligi va rezistorlar kengligi; kondensatorlar yuqori qismlarining maydoni). Diffuzion rezistorlar topologiyasini hisoblashda rezistorning kengligi (b) bilan taqqoslaganda, aloqa yostiqchalari turiga va ularning o‘lchamlariga qarab kontakt prokladkalarining ta’sirini hisobga oling (3-rasm). K koeffitsiyenti tegishli grafiklar bo‘yicha aniqlanadi.

3 – rasm. Topologiya parametrlari
8. Emitter maydonining kengligini (h) dan iborat diodlar va tranzistorlarning topologiyalarini hisoblash; boshqa o‘lchamlar 4-rasmda keltirilgan. METning "bo‘yin" uzunligi va kengligi qisqartirilgan shaklda hisoblanadi.
Qolgan minimal o‘lchamlari 2-jadvalda keltirilgan.

4-rasm.

2 – jadval

Yarimo‘tkazgich mikrosxemalar geometrik parametrlarning minimal qiymatlari

Parametr	Qiymati, mkm
Chziqli o‘lchamlarni ishlab chiqarishda xatolik	0,3
Chiziqli o‘lchamlarning muntazam ravishda ko‘payishi (oksid plyonkali surtish)	0,6
Kontakt maydonining hajmi	50x50
Metall yo‘lning kengligi va masofasi ular orasida	5
Kristall chegarasidan metallashtirishgacha bo‘lgan masofa yoki diffuziya maydoni	50
Metallizatsiya bilan aloqa oynasi bir-biriga yopishadi	2
Izolyatsion diffuziya uchun deraza kengligi	5
Izoh. Ushbu qiymatlar taxminiydir, chunki chip ishlab chiqarish texnologiyasining rivojlanishi bilan ular kamayadi.

9. IMS zanjir topologiyasining eskizi (5-rasm).

5 – rasm. IMS zanjir topologiyasining eskizi

IMS topologiyasi (misol 6-rasmda keltirilgan). Agar topologiya bitta rangda chizilgan bo‘lsa, alohida varaqlarda tayyorlangan barcha qatlamli rasmlarni (rasm niqoblarining rasmlari) IMS topologiyasini chizish miqyosida keltirish kerak.

6 – rasm. IMS topologiyasi

Topologiya rasmlari va qatlamli chizmalar tekislash elementlariga ega bo‘lishi kerak. Odatda, elementlari fotosurat shablonlarini birlashtirishda bir-biriga mos keladigan ikkita o‘lchamdagi kvadratlar shaklida ko‘rsatiladi.

7 – rasm. Qatlamli rasmning namunasi

Biz misol sifatida musbat fotorezistor yordamida fotolitografiya qilish uchun kombinatsiya elementlaridan foydalanishni ko‘ramiz:
I fotoshablon
II fotoshablon
I II fotoshablon

(Al-fotolitografiya)

Topologik rasmda birlashtirish elementlari quyidagicha ko‘rinadi.

Tashqi aloqa maydonchalari periferiyada joylashgan IMS va pastdan soat miliga teskari yo‘nalishda raqamlanadi. Shunga o‘xshash raqamlash elektr diagrammasining rasmida mavjud bo‘lishi kerak.

O‘lchovni kuzatmasdan kesimda qilingan bitta faol va bitta passiv IMS elementlarining tuzilmalari. Chizmalarda qatlamlarning qalinligi ko‘rsatilgan.







ADABIYOTLAR RO’YXATI

1. 
   Жигалский А.А. Проектирование и конструирование микросхем: Учебное пособие - Томск: ТУСУР, 2007.195 с.
   
2. 
   Г.Ф. Белова, В.Д. Попов. Методические указания к выполнению курсового проекта по проектированию топологии биполярных ИМС – М.: МИФИ, 2008.
   
3. 
   Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегралных микросхем. – М.: Радио и связ, 1992.
   

MUNDARIJA

1. 
   Kirish ………………….…………………….….……………..3
   
2. 
   Kurs loyihasini amalga oshirishning asosiy bosqichlari ……..3
   
3. 
   Tushuntirish qismining dizayni va mazmuni…………...….…4
   
4. 
   Tavsiya etilgan variantlar……………………..……….……..12
   
5. 
   Adabiyotlar ro’yxati ………………………………..…….….25