«Komyuter injiniring» fakulteti «Kompyuter injiniring at-servis» yo‘nalishi ii-kurs 106-20 guruh talabasi Satimov Norxonning

2-Laborotorya ishining sxema ko’rinishi (4-rasm)
Dc-ning ma’nolar o’zgarishi (5-rasm) AC-ning analizi(6-rasm) DC-ning anlizi (7-rasm)
3 - lаbоrаtоriya ishi Mavzu: BTdа yasаlgаn UB kuchаytirgich sхеmаsini tаdqiq etish Ishning mаqsаdi: UB ulаnish sхеmаsidа bipоlyar trаnzistоrlаrning аsоsiy stаtik хаrаktеristikаlаri vа pаrаmеtrlаrini tаdqiq etish, хаrаktеristikаlаrni o’lchаsh vа tаjribа nаtijаlаrini qаytа ishlаsh uslubi bilаn tаnishish. 1. Lаbоrаtоriya ishini bаjаrishgа tаyyorgаrlik: Grаfik ko’rinishdа ifоdаlаngаn tоk vа kuchlаnish оrаsidаgi bоg’liqlik trаnzistоr stаtik хаrаktеristikаlаri dеb аtаlаdi. Umumiy bаzа ulаnish sхеmаsidа mustаqil o’zgаruvchilаr sifаtidа emittеr tоki vа kоllеktоr – bаzа kuchlаnishi tаnlаnаdi, shundа:
(3.1) Ikki o’zgаruvchili funktsiya grаfik ko’rinishdа хаrаktеristikаlаr оilаsi kаbi tаsvirlаnаdi.

ЕE	V	30 V
UEB	V	2 mohm
IE	mА	10mA
iK	mА	12mA

iB, mkА
1.	uKE	V	0.187 mohm
2	iK	mА	-0.193 mA
3	UBE	V	-0.1 mohm
4	IB	mА	-10 mV

Sxemaning kirish va chiqish qiymatlari(1-2)-rasmda

3-Laborotorya ishi sxema ko’rinishi(3-4-rasm )
DC-ning o’zgarish manolari(5-rasm) AC-ning analizi(6-rasm) DC-ning analizi (7-rasm)

4 - laboratoriya ishi MTda yasalgan kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish Ishning maqsadi: Maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va differen-sial parametrlarini o'rganish, tranzistor ishiga temperaturaning ta'sirini tadqiq etish. 1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko'rish:
Laboratoriya ishida tuzilishi va sxemalarda shartli belgilanishi 4.1- rasmda keltirilgani kanali p- turli maydoniy tranzistor tadqiq etiladi.

4.1-rasm. kanali p-turdagi o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan maydon tranzistorining tuzilishi va sxemadagi shartli belgilanishi. 4.1-rаsm. O’lchash sxemasi.
4-Laborotorya ishi sxemasi (4.2-rasm)
DC-ning ma'nolar o'zgarishi (4.3-rasm) AC-ning analizi (4.4-rasm)