“Kompyuter Injiniringi” fakulteti “Elektronika va sxemalar” fanidan mustaqil ish mavzu: Gann effekti va ko‘chkili ko‘payish Bajardi

 
 

---

Gann effekti va Gann diodi 
Gann Effekti — N simon hajmiy volt-amper xarakteristikali yarim 
oʻtkazgichlarda elektrtokining yuqori chastotali tebranishlarini generatsiyalash. Gann 
effektini amerikalik fizik J.Gann (J.Gann) elektron oʻtkazuvchanlikli GaAs va JnP 
namunalarida kuzatgan (1963). Gann effekti doimiy kuchlanish maromida namunalarda 
doimiy ravishda paydo boʻladigan, koʻchadigan va yoʻqoladigan kuchli elektr 
maydon sohasining mavjudligi tufayli yuzaga keladi. Bu soha Gann domeni deyiladi. 
Gann effektida tebranish chastotasi namuna uzunligiga teskari mutanosib boʻladi. Uz. 
30—50 mkm li GaAs kristallda tebranish chastotasi – 0,3—2 GGs. 
Gann diodlari. Generatsiyalovchi diodlarning boshqa turini Gann diodlari tashkil 
etadi. (GANN DIODI) —bir jinsli yarimo'tkazgichda Gann effekti hisobiga MDQka ega 
yarimo'tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga ulangan GANN DIODI O'YCHli garmonik 
tebranishlar generatsiyalashga qodir. 
Gann diodi ko’rinishining zamonaviy talqini. 
Diod uzunligi 
10
−2
÷ 10
−3
smli bir jinsli yarimo'tkazgich plastinadan iborat. 
Plastinaning qarama-qarshi tomonlarida katod К va anod A deb ataluvchi metall 
kontaktlar hosil qilinadi. Gann diodlarini hosil qilish uchun n —turli GaAs, InSb, InAs 
va InP kabi birikmalardan foydalaniladi. Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi 
kontaktlariga kuchlanganligi 3 • 
10
3
V/sm ga yaqin elektr maydon hosil qiluvchi doimiy 
kuchlanish berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha bo'lgan elektr 
tebranishlar hosil bo'ladi. Elektr tebranishlar quwati 10÷15 Vt gacha 
bo'ladi, diodning FIKi esa 10÷12 % ni tashkil etadi. Gann diodi asosidagi generatorning

---

10 GGs chastotadagi maksimal quwati 2 Vtga yaqin (FIK 9-15%). Chastota ortishi bilan 
u1/ f 1 qonun bo'yicha kamayib boradi. Bunday natijalar nobarqaror hajmiy zaryad 
sohasi rejimida olingan.