“kompyuter injiniringi” fakulteti “axborot texnologiyalari” kafedrasi

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

15.1-jadvaldagi ma'lumotlardan foydalanish:

1. 
   Rezistor bo'linuvchisini hisoblang.
   

2. 
   Uzatish xarakteristikasining tikligini istok qaytargichning qiymatinini hisoblang.
   

3. 
   Quyidagi fH chastotasiga asoslanib, C1, C2 kondansatorlarning sig'imini aniqlang.
   

Nazorat savollari:

1. 
   Tranzistorning, tranzistorli kuchaytirgich bosqichining ekvivalent sxemasini chizing.
   

2. 
   Kuchaytirgichning kirish va chiqish qarshiligini, kuchlanishi, tok va quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyentlarini o‘lchang (aniqlang).
   

3. 
   Tranzistorli kuchaytirgich bosqichida signal buzilishining paydo bo‘lish sabablari.
   

Maydoniy tranzistorda yasalgan istok qaytargichi sxemasini tadqiq qilish, NI Multisim dasturiy muhiti yordamida differensial parametrlarini o’lchash, dinamik xarakteristikalarini tahlil qilish.

15.1-rasm istok qaytargich
sxemasi




Sxemaning NI Multisim dasturiy muhitida yig’ilgan holati


16-laboratoriya ishi Mavzu: Umumiy istokli maydonli tranzistorni tekshirish
Ishni bajarishdan maqsad: maydonli tranzistorlarning ishlashi va xarakteristikalarini olishni o‘rganish.

Boshlang‘ich ma’lumotlar

Maydonli tranzistorlar dastlab unipolyar tranzistorlar deb atalgan, chunki ularda faqat bir xil turdagi asosiy tashuvchilar — elektronlar yoki teshiklar bo‘ladi. Bunday tranzistorlarda injeksii va diffuziya jarayonlari amalda yo‘q, bo‘lsa ham asosiy rolni o‘ynamaydi. Ularda tashuvchilarning asosiy harakatlanish usuli elektr maydonidagi dreyfdir.

O‘zgarmas elektr maydonida yarimo‘tkazgichdagi tokni boshqarish uchun yarimo‘tkazgichli qatlamning solishtirma qarshiligi yoki maydonini o‘zgartirish kerak. Amalda ikkala usul ham qo‘llaniladi, ular maydon effektiga (zatvordagi kuchlanish bilan boshqarish) asoslangan. SHuning uchun unipolyar tranzistorlar odatda maydonli tranzistorlar deb ataladi. Ulardagi tok o‘tkazuvchi qatlam kanal deb ataladi. Bundan unipolyar tranzistorlarning yana bir nomi – kanalli tranzistorlar kelib chiqqan.
Kanallar yuzaviy (sirtida joylashgan) yoki hajmiy bo‘lishi mumkin. YUzaviy knallar dielektrikdagi donor kiritmalarning mavjudligi bilan belgilanuvchi to‘yintirilgan qatlamlar yoki tashqi maydon ta’sirida hosil bo‘luvchi inversion qatlam ko‘rinishida bo‘lishi mumkin. Hajmiy kanallar Hajmiy kanallar bir jinsli uchastkalar bo‘lib yarimo‘tkazgichning yuzasidan kambag‘allashtirilgan qatlam bilan ajratilgan bo‘ladi.
Hajmiy kanalli tranzistorlarda kambag‘allashtirilgan qatlam p-n o‘tish yordamida hosil qilinadi. SHuning uchun ularni p-n o‘tishli maydonli tranzistorlar yoki qisqacha maydonli tranzistorlar deb ataydilar. Bunday tranzistorlarning tavsifini birinchi marta SHokli 1952 yilda bergan. EWB dasturida ularning p- kanalli va r-kanalli namunalari berilgan (1-rasm, a va b ). Rasmda 1 — zatvor (gate) — boshqaruvchi elektrod; 2 — istok (source)— asosiy tashuvchilarning harakatlanishi boshlanadigan elektrod (p-kanallida — elektronlar, r-kanallida — g‘ovaklar); 3 — stok (drain) — tashuvchilarni qabul qiluvchi elektrod.




16.1-rasm. Boshqaruvchi p-n o‘tishli p-kanalli (a) va r-kanalli (b) maydonli
tranzistorlar

Bipolyar tranzistorlarga o‘xshash tarzda maydonli tranzistorlarning ham uch turdagi ulanish sxemalarini ajratib ko‘rsatish mumkin: umumiy zatvorli (U3), umumiy istokli (UI) va umumiy stokli (US).