Kompyuter injiniring” qánigeligi sırtqi bolim 2-kurs 300-20 topar studenti Kaniyazov Seydullanıń “Elektronika hám sxemalar “ páninen óz betinshe

4. Tranzitorlarni alıw texnologiyası.
Túrli korinistegi ko’pshilik tranzitorlardi bir qansha keń tarqalǵan túrlerine
eritpeli eritpe difuzion - plener mezoplener hám trenzistorlar kiredi.
Eritpe tranzistorlar. Tranzistor mexanikalıq rawajlantiriwshinin’ baslaw dáwirinde jup polyusli tranzistorlar tiykarınan kirispelerdi eritiw usılında
germaniydan eritpeli tranzistor tayarlanadı. Keyinirek taza mono kristall kremniyin alıw texnologiyanı jaratılǵannan son’ keyin jup polyusli eritpeli
tranzistorlar tayarlana basladı.
Eritpeni tranzistorlar eki bir-birine jaqın jaylasqan p-p o’tiwli strukturadan otedi.

1-súwret.Eritpeli transistor.
Eritpeli tranzistorlarda júdá juqa alıw qıyın, sol sebepli olar tómen hám
orta chastotalılar ushın molsherlengen. Olardı quwatlı etip te tayarlaw múmkin. Bunday tranzistorlardı alıw ushın p-n otkizgishlerdi joqarı maydanda iye boladi.
Eritpeli tranzistorlardı kemshiligine shegara chastotası (1≥20 m..) kishiliginen taliqdi. Texnologiyalıq tayarlawda parametrlerde bir-birindegi ayırmashılıqlardı úlken boliwindag’i ha’m korsetiwi múmkin.
Eritpeli diffusion tramzistorlar. Bul turdegi tramzistorlar eritpeli
texnologiyanı diffusion qoshqan halda alıp baradı. Bunda indiy-surma menen yarım o’tkizgish plastina sırtına jaylastırıp qızdırıladı. Bunda bo’lekti suyultiriw
nátiyjesinde electron o’tiw payda boladi. Biraq joqarı tranzistorlarına bir waqtın
ozinde eriw processinden tısqarı diffuziya da ketedi. Yag’niy elektronnan diffuzis
kristall biri- akseptor ekinshisi bolsa donor kirispe wazıypasın basqaradi. Olar kristall qálipligi boyinsha hár qıylı tereńlikke diffuziolanadi hám tegis emes
bólistirilgen p-túrdegi baza payda boladi. Kollektor retinde p-túrdegi germaniy
plastinka xızmet etedi. (2-súwret.)

2-súwret. Eritpeli diffusion transistor
Baza tarawi arqalı tiykarǵı bolmag’an zaryadlardı koshiwi, tiykarınan elektr maydan dreyfi menen ámelge asırılǵanı ushın, bunday tremzistorlardi dreyf trenzistorlar dep ataladı. Dreyf tranzistorlardı baza kemligi 0. 5-1 m km bolg’anlig’i ushın olardı shegara chastota 500-10. 000 m 9 g’a jetedi. Bul tranzistorlarda kemshilik emitterda ta’siri kernewdi kishiligi hám úlken quwatlı tranzistorlardı islep shıǵarıwdı qıyınlıǵı bolıp tabıladı.