Классификация запоминающих устройств


Рис.1 Классификация запоминающих устройств



Download 0,62 Mb.
bet3/11
Sana29.03.2023
Hajmi0,62 Mb.
#922996
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11
Bog'liq
Классификация запоминающих устройств tayyori chiqartrirish garak

Рис.1 Классификация запоминающих устройств.


2. Принципы организации запоминающих устройств




Рис.2 Принципы организации ЗУ
Для ПЗУ и статических ОЗУ характерны структуры 2D, 3D и 2DM
Структура 2D

к - число хранимых слов;
m - разрядность слов;
М = кхт - информационная емкость памяти (в битах).
Дешифратор адресного кода при наличии разрешающего сигнала CS активизирует одну из выходных линий, разрешая доступ ко всем элементам выбранной строки. Элементы одного столбца соединены вертикальной линией - внутренней линии данных (разрядной линией, линией записи/считывания). Направление обмена определяется усилителями записи/чтения под воздействием сигнала R/W (Read – чтение, Write - запись). Структура 2D применяется только в ЗУ малой емкости из-за чрезмерного усложнения дешифратора при росте числа хранимых слов.
Структура 3D
Позволяет упростить дешифраторы адреса с помощью двух координатной выборки запоминающих элементов.
Пример ЗУ типа ROM (только чтение данных, одноразрядная организация).

Выбирается ЗЭ, находящийся на пересечении линий выходов дешифраторов.
Например для ЗУ емкостью 1 К слов потребуется для 2D – дешифратор с 1024 выходами, а для 3D – 2 дешифратора с 32 выходами.


3. Микросхемы статических оперативных запоминающих устройств (ОЗУ). Внутренняя структура, принципы функционирования, тактовая диаграмма
На принципиальных электрических схемах микросхема памяти изображается обычным прямоугольником с левым и правым полями, как показано на рис. 3 Микросхема имеет три группы входов: адресные входы, вход(ы) данных и управляющие входы.
Количество адресных входов (A0÷Ak) определяется емкостью и организацией микросхемы памяти, а также способом подачи адреса. Нетрудно видеть, что емкость микросхемы EСх, равная произведению количества адресов (слов) N на разрядность хранимых слов n, не определяет однозначно требуемое число адресных входов. Для адресации любого из N слов требуется адрес разрядностью log2N. Например, для адресации микросхемы емкостью EСх = 128 Мбит, имеющей организацию 16М × 8 (адресов × бит), достаточно log2 16М = log2 (24 × 220) = 24 разряда.


Download 0,62 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish