Kirish qisqacha nazariy ma'lumotlar

Rasm 4.1 - NI Multisim 12.0 da kontaktlarning zanglashiga olib kirish
Keyin, potentsiometrni sozlash orqali biz yukdagi oqimni kerakli chegaralar ichida o'zgartiramiz.


4.2-rasm - Potentsiometr qiymati 100% bo'lgan sxema



4.3-rasm - Potentsiometr qiymati 50% bo'lgan sxema

4.4-rasm - Potentsiometr qiymati 0% bo'lgan sxema

Yuk oqimining yuk qarshiligiga bog'liqligini tekshiring. Olingan ma'lumotlar 4.1-jadvalda keltirilgan.

4.1-jadval va simulyatsiya davri natijalari

Potentsiometrning sozlanishi kontakt holati	RH yukida oqim IH (mA)
	0 Ом	20 Ом	40 Ом	60 Ом	80 Ом	100 Ом
0%	102,983	102,677	102,354	102,013	101,657	99,709

Ma'lumotlarga ko'ra biz grafik tuzamiz, 4.5-rasm. Biz MATLAB dasturida quramiz.

Rasm 4.5 - Rn qarshiligidagi joriy Inning grafigi

Xulosa

Ushbu kurs loyihasida belgilangan vazifalar bajarildi. Bipolyar tranzistorda 0 - 100 mA o'zgaruvchan tok manbai ishlab chiqilgan va ruxsat etilgan yuk qarshilik 100 Ohmga teng. Oqim qo'lda sozlanadi va chiqish oqimining ko'rsatkichi ko'rsatiladi.

Ish jarayonida qurilmani ishlab chiqishda nazariy va amaliy ko'nikmalarga ega bo'ldi. Ushbu qurilmaning ishlash printsipi tasvirlangan, uning sxemasi hisoblab chiqilgan, kontaktlarning zanglashiga olib kelishini tekshirish uchun elektron NI MULTISIM 12.0 dasturida modellashtirilgan.

Adabiyotlar ro'yxati

1. Rujnikov V.A. Zanjirlar nazariyasi asoslari / V.A. Rujnikov, A.A. Lessing, N.V. Doljikova: Darslik - Irkutsk: ISTU nashriyot uyi, 2005 - 228 b.

2. Horowitz P., Hill W. Devrederlik san'ati: 3 jildda: T. 1. Per. ingliz tilidan - 4-nashr, tahrirlangan. va qo'shing. - M .: Mir, 1993 - 413 b.

Приложение А

Sozlanishi mumkin bo'lgan bipolyar oqim manbai

Sxematik diagramma