Исследование и разработка лазерной технологии модификации электрофизических характеристик системы кремний диоксид кремния

 
 
 
 
 

---

107 
Выводы к главе 4 
1. С помощью АСМ исследованы периодические и непериодические 
наноструктуры на поверхности системы 
SiO
2
/Si, полученные при 
воздействии ArF лазерного излучения (193 нм) в диапазоне числа импульсов 
(N = 1-10). В результате экспериментальных исследований были получены 
зависимости топологии микро- и наноструктур от плотности энергии и числа 
импульсов лазерного облучения. Показано, что меняя число импульсов и 
варьируя плотность энергии облучения эксимерного лазера можно в 
широких пределах управлять морфологией системы SiO
2
/Si. 
2. Представлены результаты исследований ВФХ и ВАХ. Анализ ВАХ и 
ВФХ показал, что в исследованных режимах энергетическое воздействие
импульсного лазерного излучения на систему SiO
2
/Si сопровождается, по-
видимому, формированием кремниевых наноструктур в объеме оксида и на 
поверхности кремния. 
3. Показана возможность применения эксимерного лазера для облучения 
системы SiO
2
/Si с целью формирования нанокомпозита Si
нк
– SiO
2
(нанокластеры кремния в пленке диоксида кремния) с уникальными 
электрическими свойствами применительно к приборостроению.

---

108 
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЛАЗЕРНОГО 
МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ 
ПАРАМЕТРЫ МОП СТРУКТУР И ЭЛЕМЕНТЫ МОП ИС 
В главах 3 и 4 приведены результаты исследований параметров 
фотонного излучения лазеров на микроструктурирование системы SiO
2
/Si. 
Были получены режимы мощности излучения, временные и частотные 
параметры работы лазеров, обеспечивающие микроструктурирование 
системы 
SiO
2
/Si 
без 
нарушения 
целостности 
пленки 
SiO
2 
и 
монокристалличности кремниевой подложки. 
В этой главе представлены результаты исследований влияния лазерного 
микроструктурирования на характеристики тестовых МОП конденсаторов. 
Главной отличительной особенностью этих конденсаторов является то, что 
технологический процесс их изготовления в точности совпадает с 
технологическом 
процессом 
изготовления 
затворной 
композиции 
комплементарных МОП транзисторов интегральных микросхем 590 серии. 
Здесь же, в главе 5, приведены результаты исследований, связанные с 
влиянием 
лазерного 
излучения 
на 
тестовые 
МОП 
транзисторы, 
сформированные в кристаллах с готовыми комплементарными МОП 
интегральными схемами 590 серии.