Islom karimov nomidagi toshkent davlat

p-n-o‘tish bilan boshqariladigan maydonli tranzistorning chiqish tavsifini olish uchun VT1 tranzistordan foydalangan holda 3.6 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing. Ta’minot manba kuchlanishga va boshqaruvchi kuchlanishni nolga, PV1ning o‘lchash chegarasini 0,75V, PA1ning o‘lchash chegarasini 100 mA teng qilib o‘rnating. Boshqaruvchi U_zi kuchlanishni 0 V; –0,5 V; –1 V; –1,5 V; –2 V; –2,5 Vga teng qiymatlarda bergan holda stok tokini o‘lchang va natijani 3.8 – rasmda keltirilgan jadvalning chetki chap ustunga kiriting.
Boshqaruvchi kuchlanishni nolga o‘rnating. Jadval bo‘yicha U_si ning keyingi qiymatini kiriting va o‘lchashlarini takrorlang. Olingan natijalarni jadvalning keyingi ustuniga kiriting. O‘lchashlarni gacha o‘tkazing.
mA oshadigan stok toklarida tranzistorda sochilayotgan quvvat tranzistorni qizishiga va mos ravishda tavsifni o‘zgarishiga olib keladi. Shuning uchun o‘lchashlarni tezroq amalga oshirish kerak.
p-n-o‘tish bilan boshqariladigan maydonli tranzistor chiqish tavsiflar oilasining boshlang‘ich qismini olish uchun VT1 tranzistor bilan 3.6 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing. PV1ning o‘lchash chegarasini 1,5 Vga, PA1 o‘lchash chegarasini 100 mAga o‘rnating. Boshqaruvchi kuchlanishni bering. ni
0 V; 0,5 V; 1 V; 1,5 V oralig‘ida o‘zgartirib stok tokini o‘lchang. Olingan natijalarni 3.9 – rasmda keltirilgan jadvalga kiriting. U_zi ni navbatma navbat – 0,5 V; –1 V; –1,5 V; –2 V ga teng o‘rnatib, o‘lchashlarni takrorlang.
Laboratoriya stendini manbadan uzgan holda PV1 voltmetr, PA1 milliampermetr va ta’minot manbasi qutblarini 3.10 – rasmda keltiringandek o‘zgartiring. Yuqoridagi o‘lchashlarni U_si = –0 V; –1 V; –1,5 V uchun amalga oshiring va natijalarni jadvalga kiriting.

3.10 – rasm. Maydonli tranzistor chiqish tavsifining boshlang‘ich qismini tadqiq etish sxemasi
154-20 TJA guruh talabasi Egamberdiyev Bekmurodning Elektronika fanidan bajargan 3-labaratoriya ishi





Xulosa: MULTISIM dasturi orqali har xil turdagi maydonli transiztorlarning volt amper tavsiflarini o‘rgandik va bunda 2N5019 maydonli tranzistoridan foydalanildi.