Islom karimov nomidagi toshkent davlat

Tаjribа stеndining tuzilishi
Laboratoriya ishini bajarish uchun mo‘ljallangan qurilma laboratoriya va o‘lchash stendidan tashkil topgan.
Stend oldi panelining tashqi ko‘rinishi rasmlarda ko‘rsatilgan laboratoriya stendi chiqish toki 50mA darajada chegaralangan va kuchlanishni o‘zgarish oralig‘i bo‘lgan rostlanadigan ta’minot manbasiga egadir. Ta’minot manbasini ulash tumbleri, chiqish uyachalar va chiqish kuchlanishini rostlash dastagi stend panelining o‘ng qismida joylashgan.

3.5 – rasm. Laboratoriya stendi oldi panelining tashqi ko‘rinishi
Kirish boshqaruvchi kuchlanishni berish uchun stend tarkibida kuchlanishni – 9,99V dan +9,99V gacha bo‘lgan oraliqda diskret rostlashga ega bo‘lgan qo‘shimcha manba mavjuddir. Talab etilgan kuchlanishni o‘rnatish uzib ulagich yordamida amalga oshiriladi uzib ulagichning o‘zgarish qiymati 0,01Vga tengdir. Mazkur manbaning chiqishi U_ZI belgilanishga ega bo‘lgan uyachaga ulangan bo‘lsa, ikkinchi qutb ta’minot manbasining «–» uyachasi bilan ulangan. Bundan tashqari stend tarqibida taglik zanjirini ta’minlash uchun o‘zgarmas –15V kuchlanishga ega bo‘lgan manbaga egadir.
Laboratoriya ishida n kanalga ega bo‘lgan va p-n o‘tish bilan boshqariladigan КП302Б (VT1) maydonli tranzistor tavsifi tadqiq etiladi.
n – kanal hosil qilinadigan MOYa tranzistor КП306Б (VT3) va n – kanali mavjud bo‘lgan MOYa tranzistor КП305Б (VT2). Bundan tashqari laboratoriya tarkibida p – kanalli va p-n o‘tish bilan boqariladigan maydonli tranzistor (КП103К) VT4, kattaligi 1kOm bo‘lgan R1 rezistor va qarshiligi 2kOm bo‘lgan R2 rezistor mavjud.
Laboratoriya stendining manbasini ulash «ulash» tumbleri orqali amalga oshiriladi.
Ishni bаjаrish

1. 
   p-n-o‘tish bilan boshqariladigan maydonli tranzistor tavsifi olinsin va qurilsin.
   
2. 
   Kanali mavjud bo‘lgan MOYa-tranzistor tavsifi tavsifi olinsin va qurilsin.
   
3. 
   Kanali hosil qilinadigan MOYa tranzistorning tavsifi tavsifi olinsin va qurilsin.
   
4. 
   p-n-o‘tish bilan boshqariladigan maydonli tranzistorning tikligi aniqlansin va bog‘liqlik grafigi qurilsin.
   
5. 
   p-n-o‘tish bilan boshqariladigan maydonli tranzistorning stok-zatvor tavsifida uzilish kuchlanishini belgilansin.
   
6. 
   Kanal hosil qilinadigan MOYa – tranzistorni tikligi aniqlansin va bog‘liqlik grafigi qurilsin
   
7. 
   Kanali hosil qilinadigan MOYa – transistor uchun ostanoviy kuchlanish kattaligi ko‘rsatilsin.