n-turdagi kanalga ega bo‘lgan p-n-o‘tishli maydonli tranzistorning stok (chiqish) tavsifi 3.3 – rasmda ko‘rsatilgan. U o‘rnatilgan zatvor-istok kuchlanishida stok tokini stok-istok kuchlanishiga bog‘liqligini ko‘rsatadi hamda egri chiziqlar oilasi ko‘rinishida tasvirlanadi. Mazkur egri chiziqning har birida uchta o‘ziga xos bo‘lgan sohani ajratish mumkin: IS tokni USI kuchlanishga kuchli bog‘liqligi (boshlang‘ich soha): II – IS tokni USI kuchlanishga kuchsiz bog‘liqligi; III – p-n-o‘tishni teshilishi.
3.4 – rasm. n-turdagi kanalga esa bo‘lgan p-n-o‘tishli maydonli tranzistorning stok – zatvor tavsifi
UZI=0 (b-rasm) bo‘lganda maydonli tranzistorning tavsifini ko‘rib chiqamiz. USI kichik kuchlanishlar sohasida (0-a qism) USI kuchlanishni kanal o‘tkazuvchanligiga ta’siri sezilarsiz bo‘ladi. Shu sababli bu yerda deyarli IS = f(USI) chiziqli bog‘liqlik bo‘ladi. USI kuchlanish oshgani sari (a-b qism) tok o‘tkazuvchi kanalning torayishi uning o‘tkazuvchanligiga sezilarni ta’sir qiladi. Bu esa tokni o‘sish tikligini kamayishiga olib keladi. II soha chegarasiga kelganda (b-nuqta) tok o‘tkazuvchi kanalning yuzasi ikkala p-n-o‘tishni tutashi natijasida minimumgacha kamyadi. Stokdagi kuchlanishni keyingi oshishi asbob orqali oqib o‘tadigan tokni oshishiga olib kelmasligi kerak, chunki USI kuchlanishni oshishi bilan bir vaqtda kanalning qarshiligi oshadi. Egri chiziqda IS tokning ma’lum bir oshishi har hil turdagi sirqishlarni bo‘lishi hamda kanal atrofidagi p-n-o‘tishdagi kuchli elektr maydonni ta’siri bilan tushuntiriladi. IS tokni keskin oshib ketadigan II soha stok-zatvor zanjiri bo‘yicha stok yaqinidagi p-n-o‘tish sohasini ko‘chkili teshilishini tasvirlaydi. Teshilish kuchlanishi nuqtaga mos keladi. Zatvorga teskari kuchlanishni qo‘yilishi kanalni torayishi (3.2, a – rasm) hamda uning boshlang‘ich o‘tkazuvchanligini kamayishiga olib keladi. Shuning uchun zatvordagi katta kuchlanishlarga mos keluvchi egri chiziqning boshlang‘ich qismi tok o‘sishning kichik tikligiga ega (3.3 – rasm). UZI kuchlanishni mavjudligi kanalga p-n-o‘tishning hajmiy zaryadi bilan berkilishi (3.2, d – rasm) kichik kuchlanishlarda yuz beradi hamda I va II soha chegarasiga stok-istok kuchlanishining kichik qiymatlari mos keladi. Kanalni berkitish kuchlanishi 3.3 – rasmda ko‘rsatilganidek, stok tavsifini uzlukli chiziqlar bilan kesishishning abssissa nuqtasi mos keladi. Kichik kuchlanishlarda stok-zatvor zanjiri bo‘yicha teshilish rejimi yuz beradi.
Maydonli tranzistorning muhim parametri stok tokini nolga yaqin bo‘lishini ta’minlovchi zatvordagi kuchlanishdir. U zatvor zanjiri bo‘yicha asbobni berkitish yoki uzish kuchlanishiga mos keladi hamda UZI0 berkitish kuchlanishi deyiladi. UZI0 dagi volt-amper tavsifning b nuqtasidagi USI kuchlanishiga teng. Maydonli tranzistor chiqish tavsifi bilan bog‘langan hamda ular bo‘yicha qurish mumkin. Maydonli tranzistorning asosiy parametrlari: maksimal stok toki ISmax, maksimal stok kuchlanishi USImax, berkitish kuchlanish UZI0, tiklik S, ichki qarshilik ri,, kirish qarshiligi rkir, zatvor – istok Czs va stok-istok Csi elektrodlar orasidagi elektrodlar orasidagi sig‘imlar. ISmax stok tokining maksimal qiymati chiqish tavsifidagi b nuqtadagi qiymati mos keladi (Uzi=0). Stok – istok kuchlashining Usimax maksimal qiymatini Uzi=0 da stok-zatvor qismining teshilish kuchlanishidan 1,2-1,5 marta kichik qilib olinadi. Berkitish kuchlanishi Uzi0 stok toki nolga yaqin bo‘lganda zatvordagi kuchlanishi mos keladi. Tranzistorning ichki qarshiligi II qismida chiqish tavsifining tikligini tavsiflaydi (3.3 – rasm). Stok – zatvor tavsifining tikligi zatvor kuchlanishini tranzistorning chiqish tokiga ta’sirini yoritadi. S tiklikni asbobning stok – zatvor tavsifi bo‘yicha aniqlanadi (3.4 – rasm). Tranzistorning kirish qarshiligi teskari yo‘nalishda siljigan p-n-o‘tishlar qarshiligi bilan aniqlanadi. p-n-o‘tishli maydonli tranzistorni kirish qarshiligi katta bo‘ladi. Czi va Czs elektrodlar orasidagi sig‘imlar istok va stokka tegib turuvchi p-n-o‘tishlarni mavjud bo‘lishi bilan bog‘langan (rasm). Ko‘rilayotgan tranzistor tavsifi va parametrlarga haroratning ta’siri φ0 kontakt potensiallar farqi va zaryad tashuvchilar harakatchanligini (elektron yoki kovaklar) haroratga bog‘liq bo‘lishi bilan asoslanadi.
