Инжекционный фотодиод на основе фоточувствительной полукристаллической пленки CdS

Атомные концентрации химических элементов, входящих в состав пленок CdS

Номер образца		Атомная концентрация, %
		S	Cd	Cl	C	In	O
1		36.9	43.9	9.6	4.1	3.7	1.8
2		40.8	44.5	5.1	4.2	3.8	1.6

Таблица 2. Зависимости фототока (I_f), интегральной чувствительности (S_int), спектральной чувствительности (S_λ) от освещенности (E_lx), мощности лазерного облучения (Р) и напряжении смещения (U).

Белый свет									Лазерное облучение
Е (lx)	U, V										U, V
0.04	5 10 15 20 40		170 1700 3200 6800 11000		1.7 17 32 68 110		187 1870 3520 7480 12100		10		5 10 15 20 40	4400 10800 13700 16700 47000	440 1080 1370 1670 4700
0.4	5 10 15 20 40		300 2900 5000 9800 20100		0.3 2.9 5 9.8 20.1		33 319 550 1078 2211		750		5 10 15 20 40	800 5000 36000 66000 172000	1.1 6.7 48 88 230

4

5 10 15 20 40

4100 5400 13700 53000 146000

0.41 0.54 1.37 5.3 14.6

45.1 59,4 151 583 1606