И В. С. Ямпольсний о основы автоматики и электронно- вычислительной техники нститутов



Download 1,31 Mb.
bet20/84
Sana03.12.2022
Hajmi1,31 Mb.
#877841
TuriУчебное пособие
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   ...   84
Bog'liq
Untitled.FR11

Интегральные микросхемы ХИМС) — это полупроводниковые изделия, состоящие из активных и пассивных элементов и соеди­нительных проводников, которые изготавливаются в едином техно­логическом процессе в объеме и на поверхности полупроводнико­вого материала. Все элементы ИМС объединяются в единое функ­циональное устройство и герметизируются в стандартном корпусе с необходимым числом выводов.
Сложность ИМС принято характеризовать степенью интеграции, определяющей количество элементов N в микросхеме: при Nговорят об ИМС первой и второй степени интеграции (малая ИС), при 102 С N ^ 10а — третьей степени интеграции (средняя ИС), при 10j4 — четвертой степени (большая ИС — БИС), микросхе­мы пятой и более высоких степеней называют сверхбольшими ИС—СБИС.
По технологии изготовления ИМС подразделяются на пленочные, полупроводниковые и гибридные. В первом случае пассивные и активные элементы выполняются в виде чередующихся пленок по­лупроводников, диэлектриков и проводников. Например, три чере­дующиеся пленки п—р—п образуют транзистор, пленка провод­ника с заданным удельным сопротивлением — резистор и т. д. Во втором случае элементы создаются в приповерхностном слое полу­проводникового кристалла с использованием процессов осаждения, ионной имплантации (обстрел пучков .ионов), избирательного вы­травливания или окисления отдельных участков (фотолитография через трафарет). На рисунке 2.15 приведен фрагмент сечения ИМС с МДП и биполярными транзисторами, выполненного по полупро­водниковой технологии. Видно, что биполярные структуры сложнее в изготовлении и занимают больше места (каждый биполярный транзистор необходимо изолировать от общей структуры, в то время как МДП-транзистор самоизолируется смещенным р—« пере­ходом). Поэтому ИМС с МДП структурами позволяют достичь


{
МОП ^
р-п-р

3J


  1. Download 1,31 Mb.

    Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   16   17   18   19   20   21   22   23   ...   84




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish