I. Kirish va adabiyotlar tahlili 3 II asosiy qism 7

Zanglamas po„lat asosida amorf kremniyli quyosh elementlarini tayyorlash.

Egiluvchan taglikda quyosh elementlarini tayyorlash.
Metall folgali amorf kremniy a-Si:Nda p-i-n struktura olishda zanglamas po‗lat ham ishlatiladi (21- rasm,a, b)

.
21a- rasm. Zanglamas po‗lat asosida amorf kremniyli quyosh elementi.



21b- rasm. Amorf kremniyli quyosh elementi.
Yorug‗lik p- qatlam bilan chegaradosh shaffof elektrod tomondan tushadi. Natijada metall taglikning qaytarish xususiyati va bor bilan legirlangan p- qatlamlarga nisbatan fosfor bilan legirlangan a-Si:N plenkalarining yorug‗likni optik yutishsh kamligi natijasida qisqa tutashuv toki zichligi oshadi. p-i-n strukturali elementlarni qo‗llashning bitta muammosi – bu ularni faqat bir yo‗nalishda optimallash mumkin. Ushbu kamchilikni ko‗ndalang kesimli QE larda yo‗qotish mumkin (22- rasm).


22- rasm. Ko‗ndalang kesimli QE.
Tok o‗tkazmas taglikda sirtga perpendikulyar tekislikda a-Si:N ning p-i-n strukturasi amorf kremniy -Si:Hning p-i-n-strukturasi shakllantiri-ladi. Bunday QE shaffof o‗tkazuvchan oksid qatlam va keng zonali p- qatlam talab qilmaydi, uni mikroelektronikaning standart texnologiyalari asosida yaratish mumkin.