I bob qattiq jismlar 1-§. Qattiq jismlarning fizikasida asosiy tushunchalar

[I
S
=ƒ(U
ZI
),    U
S
=const]    zatvor-istok  kuchlanishi  U
ZI
ning  musbat  qiymatlarida  ham 
mavjud 
 
8.4 § Maydonli tranzistorlarning asosiy parametrlari 
 
Tavsifning egriligi S= 
ZI
S
U
I


,    U
S
=const.(1) Bu parametr zatvorning boshqarish 
samaradorligini ifodalaydi.  U
ZUots
- kuchlanishi kanal to‘liq yopiladigan kuchlanish. 
Zatvor-istok  orasidagi  kirish  qarshiligi  R
kirish
  (zatvor-istok  elektrodlari  orasidagi 
mumkin bo‘lgan eng katta kuchlanishda):  

---

 
121 
R
kirish
=
max
Im
Z
ax
Z
I
U


(2) 
Chiqish qarshiligi R
chiqish
 (to‘yinish holatida aniqlanadi):   
R
chiqish
=
S
S
I
U


,U
ZU
=const. (3) 
Maydonli tranzistorlarning afzalliklari: 
1.Katta  kirish  qarshiligiga  ega.(p-n-o‘tishli  maydonli  tranzistorlarda  10
6
-10
9
  om 
zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlarda 10
13
-10
15
 om.) bo‘ladi. 
2.Xususiy  shovqin  juda  kam.Tok  hosil  qilishda  faqat  bitta  turdagi  zaryad  tashuvchi 
ishtirok  etadi,shuning  uchun  rekombinatsiya  bo‘lmaydi,  rekombinatsiya  shovqin 
yo‘q. 
3.Harorat va radiatsiya ta‘siriga chidamli. 
4.Integral  sxemalarda  juda  katta  zichlikda  tranzistorlar  hosil  qilinadi(integratsiya 
darajasi yuqori). 
VIII  bobga doir sinov savollari: 
1)  Kinetik hodisa deganda nima tushuniladi? 
2)  Moddaning muvozanat holati nima va bu holatda qanday jarayon yuz beradi? 
3)  Relaksatsiya vaqti deb nimaga aytiladi? 
4)  Zaryad tashuvchilarning harakatchanligi nima va u nimalarga bog’liq? 
5)  Elektronning  elastik  va  elastik  bo’lmagan  sochilishi  deganda  nimani 
tushunasiz? 
6)  Zaryad  tashuvchilarning  zaryadlangan  nuqsonlarda  sochilishida  qanday 
jarayon yuz beradi?   
7)  Boltsman tenglamasini yozing va uni tushuntirib bering? 
 
Yarim o’tkazgichlarda kinetik hodisalarga doir masalalar: 
1)  Bir xil elektron konsentratsiyasiga  ega bo‘lgan  n=  10
15 
sm
-3
    Si, Ge, GaAs va 
ZnAs  kristallarining  T=300K  dagi  solishtirma  qarshiligini  hisoblang  va 
tushuntirib bering. 
2)  Agar  bir  xil  elektron  va  kovak  konsentratsiyasiga  ega  bo‘lgan  n  va  p  -  turli 
GaAs kristallining T=300K da solishtirma qarshiligi nimaga teng  bo‘ladi? 
3)  Kremniy  kristallida  xona  haroratida  elektronlar  harakatchanligi 

n
=1400
s
V
sm

2
 
bo‘lsa, uning qiymati T=350, 400, 500K haroratlarda handay bo‘ladi. 
4)  p  -  turli  kremniyda  T=300K  da  kovaklar  harakatchanligi 

r
=500 
s
V
sm

2
 bo‘lsa, 
T=200, 100, 50 va 10K haroratlarda qanday qiymatlarga ega bo‘ladi. 

---

 
122 
5)  Elektron  konsentratsiyasi  n=10
16 
sm
-3
ga  teng  bo‘lgan  kremniy  materialida 
harorat  T=250K  dan  400K  o‘zgarganda  o‘tkazuvchanlik  qanday  o‘zgaradi. 
Olingan natijani tushuntirib bering. 
6)  Elektron  konsentratsiyasi  n=4

10
14 
sm
-3
  bo‘lgan  n-turli  kremniy  materiali, 
qanday haroratda xususiy o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. 
7)   Kovaklar konsentratsiyasi p=2

10
16 
sm
-3
 bo‘lgan  p - turdagi kremniy materiali 
qanday haroratda xususiy o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. 
8)  Elektron  va  kovaklar  konsentratsiyasi  bir  xil  bo‘lgan  n  va  p  -  turdagi  Si 
materialining  o‘tkazuvchanligi  qancha  farq  qiladi  (T=300K)?  Xuddi  shunday 
masalani Ge va GaAs  materiallari uchun ham yeching. 
9)  Relaksatsiya  vaqtini  formulasidan  foydalanib 

  ni  metall  (Au)  va  yarim 
o‘tkazgich (Si n - tur

  10
2
  Om

sm)  uchun  hisoblang. Nima  uchun 

  qiymati 
materiallarda o‘zgarmas (T) va yarimo‘tkazgichlarda uning qiymati haroratga, 
kirishma atomlari soniga o‘ta bog‘liq. 
 
Nazorat savollari 
1.  Tranzistorlarning turlari  
2.  Bipolyar tranzistorlarning turlari  
3.  Bipolyar tranzistorlarning ishlash asosi  
4.  Bipolyar  tranzistorlarning  ulash:  umumiy  baza,  umumiy  emitter,  umumiy 
kollektor  
5.  Maydonli tranzistorlarning turlari  
6.  p-n o‘tish maydonli transistor tuzilishi  
7.  p-n o‘tish maydonli transistorning ishlash asosi  
8.  Zatvorli izolyatsiyalangan maydonli transistor tuzilishi 
9.  MDP- Tranzistorning tuzilishi 
10. Bipolyar tranzistorlarning kirish va chiqish statik xarakteristlari 
11. Maydonli tranzistorlarning kirish va chiqish statik xarakteristlari 
12. Bipolyar tranzistorlarning asosiy parametrlari 
13. Maydonli tranzistorlarning asosiy parametrlari