Учебное пособие по курсам «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» и«Фотоэлек­трические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах»



Download 0,72 Mb.
bet12/21
Sana24.02.2022
Hajmi0,72 Mb.
#183903
TuriУчебное пособие
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   ...   21
Bog'liq
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

/ 4 2 J

Рис. 4.2. Вольт-амперная характеристика продольного фоторезистора, обладающего фо­товыпрямлением: 1 - в темноте, 2 - при освещении (эксперимент), 3 - при освещении (тео­рия, учитывающая лишь ассиметрию освещения), 4 - при освещении (теория, учитывающая фотовыпрямление на контакте)
J



Однако в высокочувствительных высокоомных полупроводниках и диэлек­триках, обладающих большой кратностью изменения сопротивления при осве­щении, линейная в темноте вольтамперная характеристика может превратиться
в униполярную. Это явление удобно наблюдать на продольных пленочных фо­торезисторах. Продольным называется фоторезистор, в котором направление распространения светового потока и вектор электрического поля коллинеарны или антиколлинеарны. На рис. 4.2 приведена вольт-амперная характеристика продольного пленочного фоторезистора, имеющего структуру SnO2-CdS-Al [14]. Слой SnO2, нанесенный на стеклянную подложку, представляет собой прозрач­ный контакт, по своим характеристикам близкий к омическому. Слой CdS пред­ставляет собой высокочувствительный квазимонополярный фотопроводник. Пленка алюминия, нанесенная сверху при определенных условиях, образует с CdS контакт с ограниченным резервом носителей заряда, который на свету пре­вращается в выпрямляющий. Кривая 1 относится к темноте. Как видно из ри­сунка, выпрямление в темноте отсутствует. На свету вольт-амперная характе­ристика становится униполярной (кривая 2). Коэффициент выпрямления на свету достигает 20 при комнатной температуре. Понижение температуры зна­чительно увеличивает выпрямление. Пропускное направление не зависит от на­правления освещения и его спектрального состава. В работе [22] фотовыпрям­ление на монокристалле CdS объяснялось тем, что асимметрия вольт-амперной характеристики определяется асимметрией освещения. В самом деле, освеще­ние прикатодной области увеличивает резервуар основных носителей заряда в квазимонополярном полупроводнике (n-типа), которые при подаче отрицатель­ного смещения на освещенный контакт могут дрейфовать в глубь фотопровод­ника. При положительной полярности из контакта должны выходить дырки, концентрация которых в полупроводнике п-типа очень мала. Этим может объ­ясняться выпрямление, возникающее на свету. Поскольку в рассмотренном на­ми примере (рис. 4.2) фотоносители распределялись по толщине образца по за­кону Ламберта-Бугера
Ф = Ф0еах (4Л)
где Фо - интенсивность светового потока под освещаемым электродом, необхо­димо было учесть влияние асимметрии световой генерации на вид вольт- амперной характеристики продольного фоторезистора (то есть такого, в кото­ром направление распространения светового потока и вектор электрического поля коллинеарны или антиколлинеарны). Расчет [14] показал, что учет нерав­номерности освещения действительно может привести к униполярности, одна­ко коэффициент выпрямления при этом не превышал 2,5-3 (рис. 4.2, кривая 3).
Для объяснения фотовыпрямления необходимо рассмотреть влияние кон­тактов на характеристики фотопроводника. Руппель [23] показал, что омиче­ский контакт может превратиться в запорный при освещении. Точечный при­жимной контакт In с монокристаллом CdS при освещении обнаруживал фото- ЭДС омического контакта («-» на металле). Увеличение освещенности приво­дило к смене знака фото-ЭДС (рис. 4.3, а). Полученный результат можно объ­яснить следующим образом. На границе монополярного полупроводника с ме­таллом концентрация nK вследствие хорошего электрического обмена поддер­живается постоянной. Концентрация в объеме при освещении может повы­шаться на несколько порядков величины. Это приводит к тому, что прикон- тактный слой с повышенной концентрацией основных носителей (в темноте) превращается в обедненный слой на свету (рис. 4,3, б). Таким образом, омиче­ский в темноте контакт может превратиться в выпрямляющий при освещении.


а - зависимость ЭДС холостого хода от освещенности, б - зависимость концентрации основных носителей от освещенности.




      1. Фотоэлектрические свойства контакта металл - монополяр- ный полупроводник (диэлектрик)

В целях уменьшения влияния контактов на характеристики фотопрогодни- ка используют «омические» контакты. Однако, как отмечено выше, омичность, существующая в темноте, может нарушаться при освещении. Это приводит к необходимости рассмотрения фотоэлектрических свойств обедненного контак­та к фотопроводнику.
Считаем (см. гл. 3), что в запрещенной зоне монополярного фотопровод­ника имеются центры рекомбинация двух классов, причем
^«^«1 , 8„1™3р1™3р2 (4.2)

Download 0,72 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   8   9   10   11   12   13   14   15   ...   21




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish