Mustaqil ishi №1 Mavzu: Integral mikrosxemalar va integral mikrosxemlarni tayyorlash texnologiyasi

Termik oksidlash. T erm ik oksidlash — krem niy sirtida oksid (SiO,) qatlam (parda) hosil qilish m aqsadida su n ’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000-^1200) °C tem peraturalarda kechadi. IM Slar tayyorlashda SiO, qatlam bir necha m uhim funksiyalarni bajaradi:

sirtni him oyalovchi qatlam ;

niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi;

M D Y — tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi. Legirlash. Y arim o‘tkazgich hajmiga kiritm alarni kiritish jarayoni legirlash deb ataladi. IM Slar tayyorlashda legirlash sxem aning aktiv va passiv elem entlarini hosil qilish uchun, zarur o ‘tkazuvchanlikni t a ’m in la sh u c h u n kerak. L eg irlash n in g aso siy u su llari y u q o ri tem peraturalarda kiritm alar atom larini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bom bardim on qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish) dan iborat. Diffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi b o ‘ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali m a’lum sohalarda (lokal) am alga oshiriladi. Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritm a ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristalga kiritish bilan am alga oshiriladi. Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi. Io n lar tokini o 'z g artirib legirlovchi k iritm alar konsentratsiyasini, energiyasini o ‘zgartirib esa — legirlash chuqurligini boshqarish m um kin.

Yemirish. Y arim o ‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalami kimyoviy m oddalar ham da ulaming aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarim o‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlam da “darcha”lar ochish va turli ko‘rinishga ega b o 'lg a n “ c h u q u r c h a la r ” h o sil q ilish u c h u n q o 'lla n ila d i. Y arim o‘tkazgich sirtini tozalash va “darcha”lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarim o'tkazgich barcha kristalografik yo'nalishlar bo'ylab bir xil tezlikda eritiladi. Ba’zan yarim o'tkazgichni turli kristalografik yo'nalishlar bo‘ylab turli tezlikda eritish va natijada turli ko'rinishga ega bo'lgan “chuqurcha”lar hosil qilish zarur bo'ladi.