ModuL. Elektrvakum va yarim o’tkazgichli asboblarda kechadigan fizik jarayonlar

Analog integral sxemalarning chiqish bosqichlari(quvvat kuchaytirgichlari). Chiqish bosqichlarining vazifasi – signalning berilgan (yetarlicha katta) quvvatini buzilishlarsiz past omli yuklamaga uzatishni ta’minlash. Odatda ko‘p bosqichli kuchaytirgichlarda ular chiqish bosqichlari hisoblanadilar. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti chiqish bosqichlari uchun ikkinchi darajali parametr hisoblanadi. Shu sababli asosiy parametrlar bo‘lib quyidagilar hisoblanadi: foydali ish koeffisienti va nochiziqli buzilishlar koeffisienti K_G.

Foydali ish koeffisienti chiqish signali quvvatini manbadan tortib olinayotgan quvvatga nisbatiga teng:

, (3.22)
bu yerda Ichiq.m, Uchiq.m – chiqish kattaliklar amplitudasi, Ye_M – kuchlanish manbai, I_O‘RT – o‘rtacha tok.

Nochiziqli buzilishlar koeffisienti chiqish signali shaklining kirish signali shaklidan farqini ifodalaydi. Bu farq bosqichning uzatish xarakteristikasining nochiziqligi sababli yuzaga keladi. Kuchaytirgich bosqichi uzatish xarakteristikalari chiqish kattaligini (I_ChIQ yoki U_ChIQ) kirish kattaligiga (I_KIR yoki U_KIR) bog‘liqligini ifodalaydi..

va K_G kattaliklari ko‘p hollarda tranzistorning sokinlik rejimi– kuchaytirish sinfi bilan aniqlanadi. Shu sababli quvvat kuchaytirigichlarida qo‘llaniladigan kuchaytirgich sinflarini ko‘rib chiqamiz.

Uzatish xarakteristikasidagi ishchi nuqta (sokinlik nuqtasi) holatiga ko‘ra A, V, AV va boshqa kuchaytirish sinflari mavjud.

A rejimda sokinlik rejimida ishchi nuqta uzatish xarakteristikasi kvazichiziq soha o‘rtasida joylashadi (41 - rasm).


a) b)

41 - rasm

Kirish signalining ikkala yarim davri uzatish xarakteristikasining kvazichiziq sohasida joylashganligi sababli nochiziqli buzilishlar eng kichik (K_G 1%) bo‘ladi. Rasmdan ko‘rinib turibdiki, agar ; bo‘lsa, u holda (3.22)ni o‘rniga qo‘yib, quyidagini olamiz

, (ya’ni 25 %).
V rejimda sokinlik rejimidagi ishchi nuqta tranzistorning berk holatiga mos keluvchi kvazichiziq soha chegarasida joylashadi. Tranzistor faqat musbat yarim davr mobaynida ochiq holatda bo‘ladi (42 – rasm).

V rejimda K_G 70 % atrofida bo‘ladi. (3.22) ifodaga Ye_M va larni qo‘yib, quyidagini hosil qilamiz

(ya’ni 78 %).

V rejimda nochiziqli buzilishlarni kamaytirish maqsadida musbat yarim davrni, ikkinchisi – manfiy yarim davrni kuchaytiradigan, ikkita kuchaytirgichdan tashkil topgan ikki taktli sxema qo‘llaniladi.

a) b)

42 – rasm.

AV sinfi A va V sinflari oralig‘idagi holatni egallaydi va ikki taktli qurilmalarda qo‘llaniladi. Bu yerda sokinlik rejimida bir tranzistor berk bo‘lganda, ikkinchisi ochilish arafasida bo‘ladi, lekin bu holat asosiy ishchi yarim davrni kichik inersiyaga ega bo‘lgan VAX sohasiga olib chiqishga imkon yaratadi. koeffisient A sinfiga nisbatan yuqori, K_G 3 % bo‘ladi.