Международный научно-образовательный электронный журнал «образование и наука в XXI веке». Выпуск №20 (том 5)

И
нт
енс
и
вно
ст
ь 
л
уч
Падение луч в градусах
25
25.218182
25.381818
25.6
25.6
25.872727
25.981818
26.036364
26.145455

---

362 
Рис.4.
Характерное трехмерное АСМ изображения поверхности слоя оксида никеля.
Также были синтезированы и исследованы фотовольтические структуры типа 
ITO/NiO
x
/Perovskite/Al. Стуктуры демонстрировали наличие фото ЭДС при освещении 
(рис.5). Относительно низкие значения тока короткого замыкания (I
sc
) при освещении 
обьясняются по видимому значительной толщиной слоя NiO
x
, точно контролировать толщину 
которого в настоящее время не представляется возможным в силу отсутствия необходимого 
оборудования. 
Рис.5.
ВАХ структуры ITO/NiO
x
/Perovskite/Al без освещения и при освещении видимым 
светом в условиях АМ 1,5. 
Заключение. 
В ходе работы был осуществлен синтез наночастиц NiO
x
и получены тонкие 
пленки оксида никеля с помощью метода спинингования на воздухе. Ширина запрещенной 
зоны материала варьировала в широком диапазоне и имела минимальное значение 2.85 eV при 
концентрации раствора 5%. 
-0,6
-0,4
-0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
-0,8
-0,6
-0,4
-0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
I
sc(dark)
= - 3*10
-3
mA
I
sc(light)
= - 0,2 mA
U
xx(dark)
= 0,03 B
U
xx(light)
= 0,4 B
ITO/NiO
x