Ёруғлик нурининг модда билан ўзаро таъсири ва бу таъсир натижасида ёруғлик энергиясининг модда атомлари электронларига узати-лиш ҳодисаси фотоэлектр эффект ёки қисқа қилиб фотоэффект дейи-лади

Q_eff = I_kz/ N_o (4)

bo‘ladi, bu erda I_kz elektron soniyada o‘lchanadi, va Q_eff elektron kvant (foton)larda olinishi kerak.

QE effektiv kvant chiqishi ikki parametrga bog‘lik bo‘lib, u

Q_eff = βγ (5)

β-ichki fotoeffektning kvant chiqishidir. Bu kattalik har bir yutilgan kvant uchun fotoionizatsiya jarayonida YAO‘ ichida hosil

bo‘ladigan elektron-teshik juftliklarni ko‘rsatadi. γ – r-p o‘tish potensial to‘siqining tok tashuvchilarni yig‘ish (jamlash) koeffitsientidir, yoki boshqachasiga aytganda tok tashuvchilarning ajratish koeffitsienti ham deyiladi. Bu koeffitsient optik nurlanish yordamida hosil bo‘lgan umumiy juftliklardan qancha qismi qisqa tutashuv tokida ishtirok etishini ko‘rsatadi. Tashqi o‘lchash asbobi ulangan hol uchun, β=1 bo‘lsa, har bir kvant bitta juftlik hosil qila olishini ko‘rsatadi.

Har xil to‘lqin uzunlikka ega bo‘lgan optik nurlanish, materialda har xil chuqurlikka kira oladi (kvantlarning chuqurlikka kirish qobiliyati ularning energiyasiga bog‘likdir). YAO‘ materiallarda yutilgan kvantlar hisobiga hosil bo‘lgan

Rasm 4.Har xil to‘lqin uzunlikka ega bo‘lgan nurlanishning kremniy asosidagi r-p o‘tishga perpendikulyar tushgan hol uchun hosil bo‘lgan elektron-teshik juftliklarining taqsimlanishi. 1- λ =0,619 mkm, α=2000 sm^-1; 2- λ =0,81 mkm, α=700 sm^-1; 3- λ =0,92 mkm, α=90 sm^-1.

elektron-teshik juftliklar materialda fazoviy taqsimot hosil qiladi ( 4-rasm ga qarang).Hosil bo‘lgan juftliklarning keyingi taqdiri YAO‘ ateriallarning diffuzion yo‘li uzunligiga bog‘likdir. Agar bu parametr kattaligi etarlicha bo‘lsa, u holda nurlanish tufayli hosil bo‘lgan ortiqcha asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar faqat diffuziya jarayoni tufayli r-p o‘tishga kelib uning elektr maydoni orqali ajratilishi mumkin. Optik nurlanishni aylantirilishi jarayonida muhim rolni elektronlarning diffuziya yo‘li uzunligi( L_p ) va r-p utish chuqurligi (ℓ ) uynaydi, chunki hosil bo‘laetgan va ajratilishi kerak bo‘lgan juftliklar ularga bog‘liqdir.

Rasm 5. YArim o‘tkazgichli kristallda r-p o‘tishlarning joylashish sxemalariga qarab (a) perpendikulyar va (b) parallel r-p o‘tish tekisligi uchun optik nurlanishning tushishi. Ln, Lp – r- va p – sohalarda asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning diffuzion uzunliklari; ℓ - yarim o‘tkazgichda nurlanishning kirish chegarasi; shtrixlangan sohalar – r- va p-sohalardagi metall kontaktlarning ko‘rinishi.

Optik nurlanishning YAO‘ materialga tushish yo‘nalishiga qarab r-p o‘tish konstruksiyasining ikki xili mavjud va ularni quyidagi 5- rasmda keltirilgan holi uchun ko‘rib o‘tamiz.

1-hol. Optik nurlanish yo‘nalishiga r-p o‘tish perpendikulyar joylashgan hol. Optik nurlanish qalinligi l ga teng bo‘lgan YAO‘ materialning butunlay oxirigacha kiradi.