Elektronika va sxemotexnika


 Keng polosali kuchaytirgichlar



Download 2,53 Mb.
Pdf ko'rish
bet55/111
Sana20.07.2021
Hajmi2,53 Mb.
#124114
1   ...   51   52   53   54   55   56   57   58   ...   111
Bog'liq
Elektronika va sxemotexnika

3.7. Keng polosali kuchaytirgichlar 
 
Analog  integral  mikrosxemalar  elementar  negiz  bosqichlar  asosida 
yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar  tranzistorlar hamda 
UI  sxemada  ulangan  maydoniy  tranzistorlardan  yasalgan  bir  bosqichli 
kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o‘zida tok yoki kuchlanish, 
hamda tok va kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar. 
Bipolyar  tranzistorda  yasalgan  kuchaytirgich  bosqichi.  Umumiy  emitter 
sxemada  ulangan  bipolyar  tranzistorda  yasalgan  kuchaytirgich  bosqichi  eng  keng 
tarqalgan.  Kuchaytirgich  tahlil  qilinganda  signal  manbai  yoki    qarshilik  R
G
    bilan 
ketma  –  ket  ulangan  ideal  kuchlanish  manbai  Ye
G
  ko‘rinishida  (35  a-rasm),  yoki 
qarshilik  R
G
  bilan  parallel  ulangan  ideal  tok  manbai    I

  ko‘rinishida  (35  b-rasm) 
ifodalanishi mumkin. 
 
 
 
 
 
a) 
 
 
 
 
 
b) 
35 – rasm. 
 
Agar  R
G
  va  kuchaytirgich  bosqichining  kirish  qarshiligi  qiymatlari  bir  – 
biriga yaqin bo‘lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta’sir ko‘rsatmaydi. 
Agar R
G
 kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta  bo‘lsa, 6.1 b-
rasmda  keltirigan  signal  manbaidan,  aks  holda  esa  35  a-rasmda  keltirigan  signal 
manbaidan foydalanish tavsiya etiladi. 
Umumiy  emitter  sxemada  ulangan  bipolyar  tranzistorda  yasalgan 
kuchaytirgich bosqichi sxemasi 36 – rasmda keltirilgan. 
Sxemani  tahlil  qilganda,  tranzistor  holati  kirish  kuchlanishi  bilan 
boshqarilganda  uzatish  xarakteristikasi  (37-rasm),  chiqish  xarakteristikalar  oilasi 
hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay. 
 


 
 
58 
58 
 
 
                36 – rasm.                                                   37 – rasm.  
 
Uzatish  xarakteristikasi    -  kollektor  toki  I
K
  ning  baza  –  emitter  kuchlanishi 
U
BE
 ga  bog‘liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi 
)
exp(
T
БЭ
KS
K
U
I
I


.    (3.16) 
bu yerda  
q
kT
Т


- termik potensial, I
KS
 – proporsionallik koeffisienti bo‘lib 
uning  tahminiy  qiymati  mikroquvvatli  kremniyli  tranzistorlar  uchun  T=300  K 
bo‘lganda 10
-9
 mA tartibga ega bo‘ladi. 
Kirish signali mavjud bo‘lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida 
bo‘ladi.  Sokinlik  rejimida  kollektor  –  emittter  kuchlanishining  doimiy  tashkil 
etuvchisi 
K
K
П
КЭ
R
I
E
U



Kirishga  o‘zgaruvchan  kirish  signalining  musbat  yarim  davri  berilsa,  baza 
toki  ortadi  va  u  kollektor  toki  o‘zgarishiga  olib  keladi.  Bu  holat  uzatish 
xarakteristikasi  (37-rasm)  dan  ko‘rinib  turibdi.  Kollektor  toki  I
K
  ning  U
BE
 
kuchlanishiga bog‘liq ravishda o‘zgarishi xarakteristika tikligi S bilan ifodalanadi: 
БЭ
K
dU
dI
S

    U
KE
  = const bo‘lganda 
Bu kattalikni (6.1) ifodadan foydalanib ham topish mumkin: 
T
K
dI
S


      (3.17) . 
Shunday  qilib,  tiklik  kollektor  tokiga  proporsional  bo‘lib,  har  bir 
tranzistorning  individual  xossalariga  bog‘liq  bo‘lmaydi.  Shuning  uchun  bu 
kattalikni aniqlashda o‘lchashlar talab qilinmaydi. 
Kirish signali ta’siri natijasida R
K
 dagi kuchlanish ortadi, U
KE
 kuchlanish esa 
kamayadi,  ya’ni  manfiy  yarim  davrli  chiqish  signali  shakllanadi.  Demak,  bunday 
kuchaytirgich bosqichi chiqish va kirish kuchlanish signallari orasida 180 
0
 ga faza 
siljishini amalga oshiradi. Kollektor toki Ik 
КИР
БЭ
K
U
S
U
S
I






kattalikka ortadi. 
Chiqish kuchlanishi U
ChIQ
 esa 


 
 
59 
59 
K
КИР
K
K
R
U
S
R
I
U






2

kattalikka kamayadi. 
Demak    kuchlanish  bo‘yicha  kuchaytirish  koeffisienti  (yuklama  mavjud 
bo‘lmaganda (I
Yu
=0)), quyidagiga teng 
K
КИР
ЧИК
U
SR
U
U
K





      (3.18) 
Masalan, agar R
K
 =5 kOm; 
Т

=25 mV; I
K
 k=1 mA; S= 40 mA/V,  u holda 
K
U
=-200. 
Kollektor toki  faqat U
BE
 kuchlanishiga emas, balki   U
KE
 kuchlanishiga  ham 
bog‘liq bo‘ladi. Bu bog‘liqlik differensial chiqish qarshiligi bilan xarakterlanadi 
K
E
K
КЭ
КЭ
I
U
dI
dU
r


     U
BE
  = const  bo‘lganda, 
 
Bu  yerda  proporsionallik  koeffisienti  U
E
  Erli  kuchlanishi.  U
E
  ning 
qiymatlari  kremniyli  n-p-n  tranzistorlar  uchun  80-200  V  atrofida  bo‘ladi.  r
KE
 
hisobiga  
)
//
(
КЭ
K
U
r
R
S
K


           (3.19) . 
 
Signal manbaiga nisbatan kuchaytirish bosqichi uchun kirish qarshiligi katta 
rol  o‘ynaydi.  Uning  qiymati  qancha  katta  bo‘lsa,  signal  manbai  shuncha  kam 
yuklanadi  va  shunchalik  yaxshi  kirish  bosqichiga  uzatiladi.    Kirish  zanjirini 
yuklamaga  ulangan  kuchlanish  manbai  ko‘rinishida  ifodalash  uchun  differensial 

Download 2,53 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   51   52   53   54   55   56   57   58   ...   111




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish