Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари



Download 399,4 Kb.
bet3/6
Sana10.06.2022
Hajmi399,4 Kb.
#652312
1   2   3   4   5   6
Bog'liq
1 лекция ИМС этапы развития, типы и свойства, перспективы развития

Интегральные транзисторы

  • Для этого пластину Si окисляют в кислородсодержащей среде с температурой 800-1000 С.
  • Из образовавшихся на поверхности кремния SiO2 в требуемых местах методом оптической литографии вскрываются специальные щели.
  • Коллектор транзистора создается путем диффузии примеси в открытых местах пластины.
  • В зависимости от типа исходной проводимости кремниевой пластины в качестве легирующей добавки используется сурьма, фосфор или бор.

Интегральные транзисторы

  • В качестве подложки используются кремниевые пластины с n- или p-типами проводимости или эпитаксиально-слоистая кремниевая пластина.
  • В следующем этапе на кремниевой пластине р-типа толщиной 250-300 мкм формируется тонкий эпитаксиальный слой n-типа толщиной 15-20 мкм и удельным сопротивлением 0,5-1 Ом. Этот эпитаксиальный слой выполняет роль коллекторной области транзистора.
  • В последующих технологических процессах на поверхности пластины формируется еще один слой SiO2, на который наносится фоторезистор, затем на кристалле вскрываются щели и диффузионным методом формируются эмиттерное и базовое области транзистора.

Типичный биполярный интеграллный транзистор: геометрия (а) и сечение (б).

1-эмиттер; 2-база; 3-коллектор; 4-подложка.

Интегральные схемы на МДЯ транзисторах

  • В ИМС в основном используются МДЯ-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом.
  • Транзисторные каналы могут иметь р- и n- проводимостей.
  • МДП-транзисторы используются не только как транзисторы, но и как конденсаторы и резисторы.
  • МДП - при создании структур отсутствует операция изоляции элементов друг от друга, т.к. зоны спроса и запаса соседних транзисторов изолируются р-n переходами, включенными с обратной направлении.
  • Поэтому МДП-транзисторы могут располагаться очень близко друг к другу, а значит, обеспечивается высокая плотность.

2. Интегральные диоды

  • В биполярных транзисторных ИМС в качестве основной структуры выбран транзистор.
  • В полупроводниковых интегральных схемах в качестве диода используется одиночный p-n переход интегральных транзисторов.
  • В этом случае диоды образованы диодным соединением транзисторной структуры.
  • Используемый в качестве диода транзистор имеет 5 различных вариантов подключения.
  • Если для изготовления диода используется r-n-переход в переходе эмиттер-база, то р-n-переход в переходе коллектор-база представляет собой переходное кольцо.

Download 399,4 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish