Электроника ва схемалар 2 фани, мазмуни ва усуллари

Интегральные транзисторы

• Для этого пластину Si окисляют в кислородсодержащей среде с температурой 800-1000 С.
• Из образовавшихся на поверхности кремния SiO2 в требуемых местах методом оптической литографии вскрываются специальные щели.
• Коллектор транзистора создается путем диффузии примеси в открытых местах пластины.
• В зависимости от типа исходной проводимости кремниевой пластины в качестве легирующей добавки используется сурьма, фосфор или бор.

Интегральные транзисторы

• В качестве подложки используются кремниевые пластины с n- или p-типами проводимости или эпитаксиально-слоистая кремниевая пластина.
• В следующем этапе на кремниевой пластине р-типа толщиной 250-300 мкм формируется тонкий эпитаксиальный слой n-типа толщиной 15-20 мкм и удельным сопротивлением 0,5-1 Ом. Этот эпитаксиальный слой выполняет роль коллекторной области транзистора.
• В последующих технологических процессах на поверхности пластины формируется еще один слой SiO2, на который наносится фоторезистор, затем на кристалле вскрываются щели и диффузионным методом формируются эмиттерное и базовое области транзистора.

Типичный биполярный интеграллный транзистор: геометрия (а) и сечение (б).

1-эмиттер; 2-база; 3-коллектор; 4-подложка.

Интегральные схемы на МДЯ транзисторах

• В ИМС в основном используются МДЯ-транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом.
• Транзисторные каналы могут иметь р- и n- проводимостей.
• МДП-транзисторы используются не только как транзисторы, но и как конденсаторы и резисторы.
• МДП - при создании структур отсутствует операция изоляции элементов друг от друга, т.к. зоны спроса и запаса соседних транзисторов изолируются р-n переходами, включенными с обратной направлении.
• Поэтому МДП-транзисторы могут располагаться очень близко друг к другу, а значит, обеспечивается высокая плотность.

2. Интегральные диоды

• В биполярных транзисторных ИМС в качестве основной структуры выбран транзистор.
• В полупроводниковых интегральных схемах в качестве диода используется одиночный p-n переход интегральных транзисторов.
• В этом случае диоды образованы диодным соединением транзисторной структуры.
• Используемый в качестве диода транзистор имеет 5 различных вариантов подключения.
• Если для изготовления диода используется r-n-переход в переходе эмиттер-база, то р-n-переход в переходе коллектор-база представляет собой переходное кольцо.