Elektron apparatlarini changdan himoya qilish Reja

Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar. Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qo‘llaniladi. 12.18 –rasmda n – kanalli p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‘lishi kerak. Shu sababli o‘zgarmas tok bo‘yicha rejim hosil qilish uchun R_I rezistor kiritiladi va u ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga R_SIL rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini ta’minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi.

Berilgan I_S0 sokinlik toki uchun R_I kattaligi maydoniy tranzistor stok – zatvor VAXsidan aniqlanadi. VAXdan U_ZI0 ni aniqlab R_I ni quyidagi ifodadan qiynalmas aniqlash mumkin:

12.18 – rasm.

Kirishga o‘zgaruvchan signalning musbat yarim davri U_KIR berilganda chiqishda teskari fazadagi signal U_ChIQ hosil bo‘ladi, ya’ni UI sxemadagi kuchaytirgich bosqichi kirish signalini inverslaydi. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti quyidagiga teng

“Manfiy” ishora UIli sxema signalni inverslashini bildiradi. Amaliyotda , shu sababli kuchaytirish koeffisientini quyidagi ko‘rinishda ifodalash mumkin

UI sxemadagi real kuchaytirgich bosqichlarida Ku=3÷50, R_KIR  R_SIL, R_ChIQ  R_S.