Conference proceedings

Əsas hissə 
Ge-Si sisteminin ilk ciddi tətbiqi onun yüksək termoelektrik xassəsinə malik olmasına əsaslanmışdı. Bunun üçün 
materialın monokristal şəklində calınması tələb olunmur. Ge-Si sisteminin polikristalları yüksək temperaturlarda işləyən 
termogeneratorların hazırlanmasında istifadə edilmişdir. Bunun üçün yaxşı keçiricilik əldə etməkdən ötrü kristalları 
yüksək səviyyədə aşqarlamaq lazım gəlir. Termoelektrik effektivliyinin böyük olması üçün, bir tərəfdən materialın 
termoelektrik hərəkət qüvvəsi(t.e.h.q) və elektrik keçiriciliyi kifayət qədər böyük olmalıdır. Digər tərəfdən isə, temperatur 
qradientinin sabitliyini etibarlı təmin etmək üçün o, istiliyi pis keçirməlidir. Sonuncu xassə maddənin polikristal şəklində 
olması və onun daxilində  mövcudluğudur.
Ge-Si sisteminin tətbiqinin başqa bir sahəsi olan düzləndirici və tranzistor hazırlanmasıdır. Bundan ötrü Ge-Si 
monokristalları əsasında p-n, p-n-p və ya heteroquruluşlar düzəldilir [1]. Germaniumla daha zəngin bərk məhlullar 
əsasında hazırlanmış p-n keçidlərdə düz və əks istiqamətlərdə cərəyan sıxlığı kiçilir, deşilmə gərginliyi isə artır. Bundan 
əlavə onların tezlik xarakteristikası Si-dan düzəldilmiş cihazlarınkından daha üstün olur, işləyə biləcəyi temperatur oblastı 
isə Ge-dan hazırlanmış cihazlarınkından daha yüksək olur. Bunun səbəbi, germaniumla zəngin bərk məhlullarda 
yükdaşıyıcıların yürüklüyünün Si-dakına nisbətən daha böyük, qadağan olunmuş zonanın eninin isə Ge-dakına nisbətən 
daha çox olmasıdır. Sonuncu səbəb məxsusi keçiriciliyin daha yüksək temperaturlarda yaranmasına, deməli, cihazın daha 
yüksək temperaturlarda işlədilə bilməsinə gətirib çıxarır [2].
Nəticə 
Ge-Si bərk məhlullarının xüsusi maraq kəsb edən tətbiqlərindən biri onlardan infraqırmızı şüaların qəbuledicisi 
hazırlamaqdır. Bu qəbuledicilərin daha cəzbedici cəhəti, onların atmosferin şəffaflıq pəncərəsində işləyə bilmək 
imkanıdır. Adətən, bu məqsəd üçün müxtəlif aşqarlar vurulmuş Ge və Si-dan istifadə edilir. Yer atmosferindən kənarda 
yerləşən obyektlərdən gələn və ya onlara Yer səthindən göndərilən siqnallar elə elektromaqnit dalğaları ilə həyata 
keçirilməlidir ki, onlar atmosfer tərəfindən udulmasın, yəni atmosferin şəffaflıq pəncərəsinə düşsün. Atmosfer 
pəncərəsinin uzun dalğalı sərhəddinin optimal qiyməti

=14 mkm-dır. Ge və Si-da istifadə oluna bilən əsas aşqarların 
yaratdığı səviyyələrin uyğun zonaların sərhəddindən hesablanan dərinliyi, kvantın bu dalğa uzunluğuna təvafüq edən 
enerjisindən xeyli fərqlidir. Ge-Si bərk məhlullarında isə tərkibi dəyişməklə aşqar səviyyələrinin dərinliyini dəyişmək 
mümkündür. Bu yolla verilmiş dalğa uzunluğunda işləyə bilən tərkibi seçib onun əsasında tələb olunan cihazı düzəltmək 
N.M.Muradov, R.T.Quliyeva, G.Z.Sultanova 

---

mümkündür . Məsələn, sinklə aşqarlanmış və tərkibində Si-un atom %-i 6,1 olan Ge-Si bərk məhlulundan düzəldilmiş 
qəbuledicinin spektral xarakteristikası dəqiqliklə atmosferin şəffaflıq oblastına uyğun gəlir. Belə cihazın həm də asanlıqla 
əldə edilə bilən temperaturlarda işləyə bilməsi onu daha da cəzbedici edir. Elə onu demək kifayətdir ki, bu cihazın 
həssaslığı, maye azotu nasosla sormaqla alınan 50 K temperaturunda yalnız fon şüalanmasının qiyməti ilə məhdudlaşır. 
Həmin effekti civə ilə aşqarlanmış germaniumdan düzəldilmiş cihazda almaq üçün onu ən azı 35 K-ə qədər soyutmaq 
lazımdır. Buradan da Ge-Si bərk məhlullarının istifadə olunmasının üstünlüyü göz qabağındadır.