Handbook of Photovoltaic Science and Engineering

39
, 205 (1960).
26. Burton J, Kolb E, Slichter W, Struthers J,
J. Chem. Phys.
21
, 1991 – 1996 (1953).
27. Kodera H,
Japan J. Appl. Phys.
2
, 212 – 219 (1963)
28. Graff K,
Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication
, 29, Springer, Berlin (2000).
29. Istratov A, Hieslmair H, Weber E,
Appl. Phys.
A70
, 489 – 534 (2000).
30. Davis Jr. J
et al
.,
IEEE Trans. Electron Devices
Ed-27
, 677 – 687 (1980).
31. Kittler M, L¨arz J, Seifert W,
Appl. Phys. Lett.
58
, 911 – 913 (1991).
32. Itoh Y, Nozaki T,
Japan J. Appl. Phys.
24
, 279 – 284 (1985).
33. Weber E,
J. Appl. Phys.
A30
, 1 – 22 (1983).

---

REFERENCES
203
34. Fischler S,
J. Appl. Phys.
33
, 1615 (1962).
35. Jaccodine R, Pearce C, in Bullis W, Kimerling L (Eds),
Defects in Silicon
, 115 – 119, The
Electrochemical Society, Pennington, NJ (1983).
36. Mikkelsen Jr. J,
Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (USA)
59
, 19 (1998).
37. Hocine S, Mathiot D,
Mater. Sci. Forum
38-41
, 725 (1989).
38. Lutwack G,
Proc. of the Flat-Plate Solar Array Project Workshop on Low-Cost Polysilicon for
Terrestrial Photovoltaic Solar-Cell Applications
, Contract DOE/JPL-1012-122, JPL Publication
86-11 (1986).
39. Dietl J,
Silicon for Photovoltaics
, Vol. 2, 285 – 352, North Holland, Amsterdam (1987).
40. Lanier F, Ang T,
Photovoltaic Engineering Handbook
, 3 – 17, Adam Hilger, Bristol (1990).
41. Dawless R, US Patent 4,246,249 (1981).
42. Smith F, Dawless R,
Electrochem. Soc.