Handbook of Photovoltaic Science and Engineering

229
6.4.3 Wafer Quality and Saw Damage
Several factors are currently considered to determine the quality of the wafers: fracture
behaviour, crack density, thickness variations, surface roughness and cleanness. After
sawing the surface of the wafer is damaged from the fracture processes and contaminated
with organic and inorganic remnants from the slurry. Therefore, the wafers have to be
cleaned and the saw damage removed by etching before a solar cell can be fabricated.
In addition, the thickness and surface roughness of the wafer may vary, which may be
detrimental for some of the further processing steps. All factors are related to the sawing
process. Figure 6.20 shows an example of the topology of an as-cut surface. It consists
of thickness variations on different length scales. On the scale of millimetres, one can
observe grooves parallel to the direction of the wire. They occur particularly under higher
loads and can be caused by a deficit of slurry, mechanical vibrations or inhomogeneities
of the material. Mostly a large number of parallel wafers are then affected. Grooves on
wafers cannot be removed by etching and thus reduce the quality of a wafer.
On a length scale of about 100
µ
m, the surface may have a wavy topology that
is not detrimental unless sharp steps occur. On the micrometer-length scale the surface
shows a certain roughness, which is directly related to the microscopic sawing process as
described before. The extent of saw damage, which has to be etched away before solar
cell processing, lies typically in the range of 5 to 10
µ
m.
Saw damage also occurs in the abrasive grains and the wire itself. Although the
fracture strength of the SiC particles is higher than that of silicon, the grains eventually
lose their sharpness owing to breakage that reduces their sawing performance. To reduce
the abrasion of the grains, sawing should be done in a stress range where the load on the
individual grains lies above the fracture strength of silicon but below that of SiC.
Typically, the wires have diameters between 150 and 180
µ
m and a length of
about 150 to 500 km. They are made of stainless steel and coated with a brass layer.
74
50
25
−
25
−
52
0
10
20
30
40
[mm]
2.5
2.0
−
2.5
44.2
25.0
−
15.0
−
25.0
0.0
10
20
30
40(mm)
17.3
10.0
−
10.0
−
20.0
0.0
10
20
30
40(mm)
>2 mm
<0.2 mm
0.2
−
2 mm
Figure 6.20
Surface structure of a wafer with grooves resulting from uneven cutting. It also shows the
bowing of the wire under load during sawing. The surface profile measured by a laser scanner profiler is
depicted on the right. Different wavelengths filtered from the profile are shown below

---

230
BULK CRYSTAL GROWTH AND WAFERING FOR PV
It is important that the thickness is very uniform over the entire length, because sudden
changes in the diameter can lead to fracture of the wire or damage to the wafer surface.
The abrasion of the steel wires is also due to the interactions with the grains. Excessive
wear can lead to breakage, which is undesirable during sawing because it is very time
consuming to build up the wire web inside the machine. Some manufacturers are beginning
to develop
in situ
detection systems to control the sawing process and thus prevent the
wire breakage.