Герметизация электронные аппараты

Очистка в парах растворителя. При этом методе обрабатываемые образцы помещают в рабочую камеру, куда из перегонного куба поступают пары кипящего растворителя. Пары растворителя конденсируются на поверхности образцов и загрязнения уносятся с нее вместе с каплями конденсата. При этом образцы непрерывно омываются свежими порциями чистого конденсата, нагреваются до температуры кипения растворителя и быстро сохнут при удалении из камеры. Таким образом, удаётся избежать загрязнения поверхности в результате испарения растворителя.
Как правило, очистку производят в парах изопропилового спирта, фреона или хлорированных углеводородов. Эти растворители дают слабо рассеивающие воздушными потоками плотные пары, процесс конденсации которых происходит тем интенсивнее, чем ниже температура изделия. Обработку в парах растворителя применяют для удаления малорастворимых с высокой температурой плавления загрязнений, а также для сушки изделий после прополаскивания водой. Плохо удаляются в парах мыла, растворимые масла и другие загрязнения, содержащие воду. Недостатки метода являются значительные потери растворителя из-за испарения, поэтому следует использовать герметичные установки.
После обработки в парах растворителя на поверхности изделий могут остаться следы мелкие нерастворимые частицы загрязнений, поэтому такую очистку совмещают с обработкой в жидких растворителях. В установке жидкосно-паровой очистки большая часть загрязнений удаляется в паровой камере, а окончательная отмывка происходит в ультразвуковой ванне.

Очистка в эмульсиях

Происходит в первую очередь на границе фаз вода–растворитель, где сосредоточено почти все количество поверхностно–активных веществ, молекулы которых адсорбируются частицами удаляемых водонерастворимых загрязений; тем самым препятствуют повторному осаждения загрязнений на поверхность полупроводника и обеспечивают длительную способность эмульсии к очистке.

Отмывка в кислотах и щелочах.

Отмывку в кислотах применяют для очистки поверхности от атомов, ионов металлов, а также оксидов, сульфидов, нитридов и других химических соединений, растворимых в них. Для очистки поверхностей применяют как минеральные, так и органические кислоты, а также кислотные растворы, в состав которых входят поверхностно-активные вещества для отмочки загрязнений, растворимые в воде органические растворители и травильные ингибиторы, предупреждающие растворение полупроводникового материала. В кислотных растворах одновременно удаляются оксиды и жировые загрязнения, при этом очень интенсивно выделяются газы, которые образуются при взаимодействии кислот с загрязнениями. На производстве кислотной обработке, как правило, предшествует обезжиривание в органических растворителях. После кислотной обработке на поверхности полупроводникового материала остаётся очень много трудноудалимого кислотного остатка.