Газиева раъно тешабаевна автоматика асослари ва ишлаб чикариш

5.5. Фотоэлектрик асбоблар
Фотоэлектрон асбоб деб –оптик нурланиш энергиясини электр
энергиясига 
ўзгартирувчи 
асбобларга 
айтилади. Оптик 
нурларга
ультрабинафша нурлар, кўзга кўринадаган нурлар ва 10 нм дан 0,1 нм гача
тўлќин узунлигига эга бўлган инфракизил нурлар киради.
Фотоэлектрон асбобларни ишлаши фотоэффект ходисасига асосланган.
Икки хил фотоэффект ходисаси мавжуд: ички ва ташќи.
Ички фотоэффект – нурланиш натижасида элементлардаги электронларни
уйѓотиш яъни уларнинг юќори сатћларига кўтарилиши. Бунинг натижасида за-
ряд ташувчилар концентрацияси ва элементнинг электр хусусияти ўзгаради.
Металларда ички фотоэффект кузатилмайди. У фаќат ярим ўтказгичгагина та-
аллуќли.
Ички фотоэффект бир жинсли ярим ўтказгичларда электр ўтказувчанлик
ўзгариши ва бир жинсли бўлмаган ярим ўтказгичларда электр юритувчи куч

---

59
ћосил бўлиши билан кўрилади. Бу фоторезисторларда, фотодиодларда, фото-
транзисторларда ва бошќа фотоэлектрик асбобларда ќўлланилади.
Ташќи фоттоэффект – фотоэлектрон эммисия бўлиб, яъни нурланиш
таъсирида электронларни элемент ташќарисига чиќишидир. Фотоэлектрон эм-
мисия катта ёки кичик миќдорда барча элементларда содир бўлиши мумкин.
Ташќи фотоэффект вакуум ва газ зарядли фотоэлектронларда, ћамда фотоэлек-
трон кўпайтиргичларда ќўлланилади.
Фоторезистор – ярим ўтказгич фотоэлектрик асбоб бўлиб, бунда фото
ўтказувчанлик ћодисаси ќўлланилади, яъни оптик нурланиш таъсирида ярим
ўтказгични электр ўтказувчанлиги ўзгаради.
Фоторезистор тузилиши 5.14- расмда кўрсатилган булиб, 1-плёнка ёки пла-
стик ва 2-диэлектрик материалдан ясалган.
5.14- расм. Фоторезисторнинг тузилиши ва уланиш схемаси.
Фоторезисторнинг асосий катталиклари унинг сезгирлиги, коронгулик
каршилиги ва ишчи кучланиши хисобланади.
Фоторезисторнинг сезгирлиги куйидаги ифода оркали аникланади ва у
20 А/лм га тенг бўлиши мумкин:
ф
I
S
ф
i
=
,
Ќоронѓулик ќаршилиги – ёритилмаган фоторезисторларнинг ќаршилиги
ќийматига тенг диапазонга эга: R
к
=10
2
¸10
9
Ом;
Ишчи кучланиши фоторезистор ўлчамларига боѓлиќ, яъни электронлар
орасидаги масофага боѓлиќ равищда 1-1000 В гача танланади.
Шуни таъкидлаш керакки, фоторезисторларнинг катталиклари, ташќи
мућит таъсирида ўзгаради. Фоторезисторлар афзаллиги: юќори сезгирлиги,

---

60
нурланишнинг инфраќизил ќисмида ќўллаш мумкинлиги, ўлчамлари кичиклиги
ва доимий ток ва ўзгарувчан ток занжирларида ќўллаш мумкинлиги.
Фотодиод ярим ўтказгичли фотоэлемент асбоб бўлиб, битта электрон-
ковакли ўтишга ва иккита чиќишга эгадир. Фотодиодлар икки хил режимда
ишлаши мумкин: 1) ташќи электр энергия манбаисиз (фотогенератор режи-
мида); 2) ташќи электр энергия манбаи ёрдамида (фотоўзгартгич режимида)
5.15- расм. Фотодиоднинг тузилиши