Gann effekti va ko’chkili ko’payish. Reja

Gann diodi ko’rinishining zamonaviy talqini.

Diod uzunligi smli bir jinsli yarimo'tkazgich plastinadan iborat. Plastinaning qarama-qarshi tomonlarida katod К va anod A deb ataluvchi metall kontaktlar hosil qilinadi. Gann diodlarini hosil qilish uchun n —turli GaAs, InSb, InAs va InP kabi birikmalardan foydalaniladi. Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi kontaktlariga kuchlanganligi 3 • V/sm ga yaqin elektr maydon hosil qiluvchi doimiy kuchlanish berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha bo'lgan elektr tebranishlar hosil bo'ladi. Elektr tebranishlar quwati 10÷15 Vt gacha

bo'ladi, diodning FIKi esa 10÷12 % ni tashkil etadi. Gann diodi asosidagi generatorning 10 GGs chastotadagi maksimal quwati 2 Vtga yaqin (FIK 9-15%). Chastota ortishi bilan u1/ f 1 qonun bo'yicha kamayib boradi. Bunday natijalar nobarqaror hajmiy zaryad sohasi rejimida olingan.